Патронници от микропорест SiC

За да осигурят превъзходна прецизност и стабилност, както и чистота за усъвършенствана обработка на пластини, патронниците от микропорест SiC са изградени от силициев карбид с много висока чистота и имат равномерно разпределена микропореста (или „микропорна“) структура, което води до силно равномерно разпределение на вакуумната адсорбция върху напълно използваема повърхност на патронника. Тези патронници са специално проектирани да отговорят на строгите изисквания за производство на полупроводници, обработка на съставни полупроводници, микроелектромеханични системи (MEMS) и други индустрии, които изискват контрол на прецизността.

Отлично представяне на патронници от микропорест SiC

Основното предимство на патронниците от микропорест SiC е пълното им интегриране на разпределението на вакуума, активирано чрез контролиране на микропорестата матрица в самия патронник, за разлика от използването на жлебове и пробити отвори като традиционните вакуумни патронници. Чрез използването на микропореста структура, вакуумното налягане се предава равномерно по цялата повърхност на патронника, осигурявайки необходимата стабилност и еднаквост на силата на задържане, за да се сведе до минимум деформацията, увреждането на ръба и концентрацията на локално напрежение, като по този начин помага да се избегнат рисковете, свързани с по-тънките пластини и усъвършенстваните процесни възли.

Изборът наSiCкато материал за микропорести SiC патронници се прави поради изключителните си механични, термични и химични характеристики. Патронниците от микропорест SiC също са проектирани да бъдат изключително твърди и устойчиви на износване, така че да запазят стотинката си

национална стабилност дори при продължителна употреба. Имат много нисък коефициент на топлинно разширение и много висока топлопроводимост; по този начин те могат да поддържат задачи, включващи бързи промени в температурата и локализирано нагряване или излагане на плазма, като същевременно поддържат плоскостта и позиционната точност на пластината през целия цикъл на процеса.

Химическата стабилност е допълнително предимство на патронниците Semicorex Microporous SiC. Едно от ключовите предимства на силициевия карбид е способността му да издържа на излагане на вредни газове (включително корозивни газове, киселини и основи), които обикновено съществуват в агресивни плазмени системи, използвани за производство на полупроводници. Високото ниво на химическа инертност, осигурено от патронниците Semicorex Microporous SiC, позволява минимално разграждане на повърхността и генериране на частици при контакт с различни процеси, което позволява обработката в чисти помещения да се извършва при много строги граници на чистота и увеличава добива и последователността на процеса.

Проектирането и производствените процеси на Semicorex са фокусирани върху постигането на възможно най-висока степен на прецизност и качество при създаването на микропорест SiC патронник. Пълна плоскост на повърхността, успоредност и грапавост са постижими с патронника от микропорест SiC, а жлебовете, които обикновено съществуват при много други стандартни типове патронници, отсъстват от повърхността на патронника от микропорест SiC, което води до значително по-малко натрупване на частици и много по-лесно почистване и поддръжка в сравнение с повечето стандартни патронници. Това повишава надеждността на патронниците от микропорест SiC за всички приложения, чувствителни към замърсяване.

Широки приложения

Микропорестите SiC патронници Semicorex се произвеждат в много конфигурации с възможност за персонализиране, за да се приспособят към голямото разнообразие от инструменти и приложения за процеси, използвани в производството на полупроводници. Няколко налични конфигурации включват различни видове диаметри, дебелини, нива на порьозност, вакуумни интерфейси и типове монтаж. Патронникът Semicorex Microporous SiC също така е проектиран да работи с практически всички материали на субстрата, включително силиций, силициев карбид, сапфир, галиев нитрид (GaN) и стъкло. По този начин микропорестият SiC патронник Semicorex може лесно да се интегрира в различни OEM оборудване и платформи за процеси, които вече се използват от клиентите.

Патронниците Semicorex Microporous SiC предлагат значително подобрена стабилност и предсказуемост във вашия производствен процес, както и увеличено време за работа на оборудването. Постоянната вакуумна адсорбция през детайла гарантира правилното подравняване на пластината през всички критични операции, включително литография, ецване, отлагане, полиране и проверка. Превъзходната издръжливост и устойчивост на износване, свързани с микропорест SiC, водят до по-ниски нива на подмяна и по този начин до намаляване на разходите за превантивна поддръжка и общите разходи за целия живот, свързани с тези устройства.

Патронниците Semicorex Microporous SiC представляват надежден, високоефективен метод за обработка на пластини от следващо поколение. Комбинацията от равномерно разпределение на вакуума с превъзходна термична и химическа стабилност, отлична механична цялост и превъзходна възможност за почистване води до решения за вакуумно захващане Semicorex, които формират неразделна част от усъвършенствания процес на производство на полупроводници с последователност, увереност и надеждност.