Капак на камерата от силициев карбид

Капакът на камерата от силициев карбид, използван при отглеждане на кристали и обработване на пластини, трябва да издържа на високи температури и грубо химическо почистване. Semicorex е мащабен производител и доставчик на графитен ток с покритие от силициев карбид в Китай. Нашите продукти имат добро ценово предимство и покриват много от европейските и американските пазари. Очакваме с нетърпение да станем ваш дългосрочен партньор.

Изпратете запитване

Описание на продукта

Капакът на камерата от силициев карбид, използван при израстване на единични кристали или MOCVD или обработване на пластини, трябва да издържа на високи температури и грубо химическо почистване. Semicorex доставя графитна конструкция с покритие от силициев карбид (SiC) с висока чистота, осигуряваща превъзходна устойчивост на топлина, равномерна термична еднородност за постоянна дебелина и устойчивост на епи слоя и трайна химическа устойчивост. Те са издръжливи, за да изпитат комбинация от летливи прекурсорни газове, плазма и висока температура.
Нашият капак на камерата от силициев карбид е проектиран да постигне най-добрия модел на ламинарен газов поток, осигуряващ равномерност на топлинния профил. Това помага да се предотврати всякакво замърсяване или дифузия на примеси, осигурявайки висококачествен епитаксиален растеж върху чипа на вафлата.
Свържете се с нас днес, за да научите повече за нашия капак на камерата от силициев карбид.

Параметри на капака на камерата от силициев карбид

Основни спецификации на CVD-SIC покритие
SiC-CVD свойства
Кристална структура	FCC β фаза
Плътност	g/cm³	3.21
Твърдост	Твърдост по Викерс	2500
Размер на зърното	μm	2~10
Химическа чистота	%	99.99995
Топлинен капацитет	J kg-1 K-1	640
Температура на сублимация	℃	2700
Felexural Сила	MPa (RT 4 точки)	415
Модулът на Йънг	Gpa (4pt завой, 1300 ℃)	430
Термично разширение (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Топлопроводимост	(W/mK)	300