SiC краен ефектор

Semicorex SiC End Effector е направен от графит със силициево карбидно покритие (SiC), покритието се нанася чрез CVD метод върху специфични степени на графит с висока плътност, така че може да работи във високотемпературна пещ с над 3000 °C в инертна атмосфера, 2200°C във вакуум.

Нашият SiC краен ефектор е проектиран да постигне най-добрия модел на ламинарен газов поток, осигуряващ равномерност на топлинния профил. Това помага да се предотврати каквото и да е замърсяване или дифузия на примеси, като се гарантира висококачествен епитаксиален растеж върху пластинковия чип.

Свържете се с нас днес, за да научите повече за нашия SiC краен ефектор.

Параметри на SiC краен ефектор

Характеристики на SiC краен ефектор

- Избягвайте отлепването и осигурете покритие върху цялата повърхност

Устойчивост на окисление при висока температура: Стабилен при високи температури до 1600°C

Висока чистота: направено чрез CVD химическо отлагане на пари при условия на високотемпературно хлориране.

Устойчивост на корозия: висока твърдост, плътна повърхност и фини частици.

Устойчивост на корозия: киселини, основи, соли и органични реагенти.

- Постигане на най-добрия модел на ламинарен газов поток

- Гарантирана равномерност на термичния профил

- Предотвратете всякакво замърсяване или дифузия на примеси