SiC краен ефектор

Semicorex е мащабен производител и доставчик на графитен ток с покритие от силициев карбид в Китай. Ние се фокусираме върху полупроводниковите индустрии като слоеве от силициев карбид и епитаксиален полупроводник. Нашият SiC краен ефектор има добро ценово предимство и покрива много от европейските и американските пазари. Очакваме с нетърпение да станем ваш дългосрочен партньор в Китай.

Изпратете запитване

Описание на продукта

Semicorex SiC End Effector е направен от графит със силициево карбидно покритие (SiC), покритието се нанася чрез CVD метод върху специфични степени на графит с висока плътност, така че може да работи във високотемпературна пещ с над 3000 °C в инертна атмосфера, 2200°C във вакуум.

Нашият SiC краен ефектор е проектиран да постигне най-добрия модел на ламинарен газов поток, осигуряващ равномерност на топлинния профил. Това помага да се предотврати каквото и да е замърсяване или дифузия на примеси, като се гарантира висококачествен епитаксиален растеж върху вафления чип.

Свържете се с нас днес, за да научите повече за нашия SiC краен ефектор.

Параметри на SiC краен ефектор

Основни спецификации на CVD-SIC покритие
SiC-CVD свойства
Кристална структура	FCC β фаза
Плътност	g/cm³	3.21
твърдост	Твърдост по Викерс	2500
Размер на зърното	μm	2~10
Химическа чистота	%	99.99995
Топлинен капацитет	J kg-1 K-1	640
Температура на сублимация	℃	2700
Felexural Сила	MPa (RT 4 точки)	415
Модулът на Йънг	Gpa (4pt завой, 1300 ℃)	430
Термично разширение (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Топлопроводимост	(W/mK)	300