SiSiC вафлена лодка

В конкурентния пейзаж на производството на полупроводници и слънчеви клетки, балансирането на производителността с дълготрайността на компонентите е от съществено значение. НашитеSiSiC Wafer Boat са проектирани да бъдат „индустриалния работен кон“ за операции в пещ при висока температура. Като използваме процеса на реакционно свързване, ние доставяме носител, който предлага превъзходна механична якост и устойчивост на термичен удар в сравнение с традиционния кварц и стандартната керамика.

Науката за SiSiC: Защо реакционното свързване има значение

За разлика от синтерования SiC, който се образува чрез консолидация на прах под високо налягане,SiSiC вафлена лодка се получава чрез инфилтриране на пореста въглеродна заготовка с разтопен силиций. Този процес на "реакционно свързване" води до материал с почти нулево свиване по време на производството, което позволява производството на сложни, широкомащабни архитектури на лодки с невероятна прецизност на размерите.

1. Превъзходна устойчивост на термичен удар

Едно от най-критичните предизвикателства при партидната обработка е бързият цикъл на избутване и издърпване на пещта. Кварцовите носители често се напукват при термичен стрес. SiSiC притежава значително по-висок модул на разрушаване (MOR) и отлична топлопроводимост. Това позволява на нашите лодки да издържат на бързо повишаване на температурата без риск от структурна повреда, което директно води до по-малко време за престой на оборудването.

2. Висока товароносимост при температура

Тъй като размерите на вафлите се увеличават и партидите стават по-големи, за да се увеличи максимално производителността, теглото на носителя се увеличава. Нашите SiSiC лодки показват изключителна устойчивост на пълзене. Докато други материали могат да провиснат или да се изкривят при големи натоварвания при 1250°C, SiSiC запазва своята геометрия, като гарантира, че паралелността на слота за пластини остава перфектна в продължение на хиляди цикли.

3. Химическа инертност и повърхностна цялост

Нашите SiSiC лодки са проектирани за сурови химически среди. Материалът е присъщо устойчив на корозивните газове, използвани в LPCVD и дифузионни процеси. Освен това повърхността е обработена, за да се гарантира, че няма миграция на "свободен силиций", осигурявайки стабилна, чиста среда, която защитава електрическата цялост на вашите вафли.

Технически спецификации: SiSiC Performance Matrix

Оптимизиран за глобалните производствени стандарти

Нашата SiSiC Wafer Boat е съвместима с водещите в света OEM производители на пещи, включително TEL (Tokyo Electron), ASM и Kokusai Electric. Ние предлагаме персонализирани решения за:

Хоризонтални дифузионни пещи: Дълги лодки с високопрецизни канали за 150 mm и 200 mm пластини.

Системи с вертикална пещ: конструкции с ниска маса, които оптимизират газовия поток и топлинната еднородност.

Производство на слънчеви фотоволтаични клетки: Специализирани носители от SiSiC, предназначени за дифузия на POCl3 с голям обем, предлагащи експлоатационен живот 5-10 пъти по-дълъг от кварца.

Експертно мнение: За процеси, надвишаващи 1380°C, препоръчваме нашата линия Sintered SiC. Въпреки това, за по-голямата част от стъпките на дифузия, окисляване и LPCVD, SiSiC осигурява най-рентабилното съотношение между производителност и продължителност на живота в индустрията.

Защо да си партнираме с нас?

Експертиза в материалите: Ние доставяме само алфа-SiC прах с висока чистота и електронен клас силиций за нашия процес на реакционно свързване.

Прецизно инженерство: Нашите възможности за шлайфане с ЦПУ позволяват толеранси на слотовете в рамките на ±0,02 mm, намалявайки вибрациите и счупването на пластините.

Устойчивост и възвръщаемост на инвестициите: Чрез преминаване от кварц към SiSiC, заводите обикновено отбелязват 40% намаление на годишните разходи за консумативи поради значително намалената честота на подмяна.

Всяка лодка, която изпращаме, е придружена от Сертификат за съответствие (CoC) и пълен доклад за проверка на размерите, което гарантира, че вашият технологичен комплект е готов за незабавно инсталиране в чистата стая.