SiC покритието е тънък слой върху фиксатора чрез процеса на химическо отлагане на пари (CVD). Материалът от силициев карбид осигурява редица предимства пред силиция, включително 10 пъти по-голяма сила на пробивното електрическо поле, 3 пъти по-голяма ширина на лентата, което осигурява на материала висока температурна и химическа устойчивост, отлична устойчивост на износване, както и топлопроводимост.
Semicorex предоставя персонализирано обслужване, помага ви да правите иновации с компоненти, които издържат по-дълго, намалява времената на цикъла и подобрява добивите.
SiC покритието притежава няколко уникални предимства
Устойчивост на висока температура: CVD SiC покритият ток може да издържи на високи температури до 1600°C, без да претърпи значително термично разграждане.
Химическа устойчивост: Покритието от силициев карбид осигурява отлична устойчивост на широка гама от химикали, включително киселини, основи и органични разтворители.
Устойчивост на износване: SiC покритието осигурява на материала отлична устойчивост на износване, което го прави подходящ за приложения, които включват силно износване.
Термична проводимост: CVD SiC покритието осигурява на материала висока топлопроводимост, което го прави подходящ за използване при високотемпературни приложения, които изискват ефективен топлопренос.
Висока якост и твърдост: Сцепторът с покритие от силициев карбид осигурява на материала висока якост и твърдост, което го прави подходящ за приложения, които изискват висока механична якост.
SiC покритието се използва в различни приложения
Производство на светодиоди: CVD SiC покритият ток се използва при производството на обработени различни типове светодиоди, включително сини и зелени светодиоди, UV светодиоди и дълбоки UV светодиоди, поради високата си топлопроводимост и химическа устойчивост.
Мобилна комуникация: CVD SiC покритият приемник е решаваща част от HEMT за завършване на епитаксиалния процес GaN-on-SiC.
Обработка на полупроводници: CVD SiC покритият приемник се използва в полупроводниковата индустрия за различни приложения, включително обработка на пластини и епитаксиален растеж.
Графитни компоненти с SiC покритие
Изработено от графит със силициево-карбидно покритие (SiC), покритието се нанася чрез CVD метод върху специфични степени на графит с висока плътност, така че може да работи във високотемпературна пещ с над 3000 °C в инертна атмосфера, 2200 °C във вакуум .
Специалните свойства и ниската маса на материала позволяват бързи скорости на нагряване, равномерно разпределение на температурата и изключителна прецизност на управление.
Данни за материала на Semicorex SiC покритие
Типични свойства |
единици |
Ценности |
Структура |
|
FCC β фаза |
Ориентация |
фракция (%) |
111 за предпочитане |
Обемна плътност |
g/cm³ |
3.21 |
твърдост |
Твърдост по Викерс |
2500 |
Топлинен капацитет |
J kg-1 K-1 |
640 |
Термично разширение 100–600 °C (212–1112 °F) |
10-6K-1 |
4.5 |
Модулът на Йънг |
Gpa (4pt завой, 1300 ℃) |
430 |
Размер на зърното |
μm |
2~10 |
Температура на сублимация |
℃ |
2700 |
Felexural Сила |
MPa (RT 4 точки) |
415 |
Топлопроводимост |
(W/mK) |
300 |
Заключение Токоприемникът с CVD SiC покритие е композитен материал, който съчетава свойствата на токоприемник и силициев карбид. Този материал притежава уникални свойства, включително устойчивост на висока температура и химикали, отлична устойчивост на износване, висока топлопроводимост и висока якост и твърдост. Тези свойства го правят привлекателен материал за различни високотемпературни приложения, включително обработка на полупроводници, химическа обработка, термична обработка, производство на слънчеви клетки и производство на светодиоди.
Ако имате нужда от графитен ток с изключителна топлопроводимост и свойства за разпределение на топлината, не търсете повече от Semicorex Inductively Heated Barrel Epi System. Неговото SiC покритие с висока чистота осигурява превъзходна защита при висока температура и корозивни среди, което го прави идеалният избор за използване в приложения за производство на полупроводници.
Прочетете ощеИзпратете запитванеСъс своята изключителна топлопроводимост и свойства за разпределение на топлината, структурата Semicorex Barrel Structure for Semiconductor Epitaxial Reactor е идеалният избор за използване в LPE процеси и други приложения за производство на полупроводници. Неговото SiC покритие с висока чистота осигурява превъзходна защита при висока температура и корозивна среда.
Прочетете ощеИзпратете запитванеАко търсите високоефективен графитен токоприемник за използване в приложения за производство на полупроводници, Semicorex SiC Coated Graphite Barrel Susceptor е идеалният избор. Неговата изключителна топлопроводимост и свойства на разпределение на топлината го правят предпочитан избор за надеждна и постоянна работа при висока температура и корозивна среда.
Прочетете ощеИзпратете запитванеСъс своята висока точка на топене, устойчивост на окисляване и устойчивост на корозия, Semicorex SiC-Coated Crystal Growth Susceptor е идеалният избор за използване в приложения за растеж на единични кристали. Неговото покритие от силициев карбид осигурява отлична плоскост и свойства за разпределение на топлината, което го прави идеален избор за среда с висока температура.
Прочетете ощеИзпратете запитванеАко се нуждаете от графитен токосцептор, който може да работи надеждно и последователно дори в най-взискателните високотемпературни и корозивни среди, Semicorex Barrel Susceptor за епитаксия в течна фаза е идеалният избор. Неговото покритие от силициев карбид осигурява отлична топлопроводимост и разпределение на топлината, осигурявайки изключителна производителност в приложения за производство на полупроводници.
Прочетете ощеИзпратете запитванеГрафитният варел Semicorex с покритие от силициев карбид е идеалният избор за приложения за производство на полупроводници, които изискват висока устойчивост на топлина и корозия. Неговата изключителна топлопроводимост и свойства за разпределение на топлината го правят идеален за използване в LPE процеси и други високотемпературни среди.
Прочетете ощеИзпратете запитване