Semicorex е уважаван доставчик и производител на MOCVD графитна сателитна платформа със SiC покритие. Нашият продукт е специално проектиран да посрещне нуждите на полупроводниковата индустрия при отглеждане на епитаксиалния слой върху пластинковия чип. Продуктът се използва като централна плоча в MOCVD, със зъбно колело или пръстеновиден дизайн. Има висока устойчивост на топлина и корозия, което го прави идеален за използване в екстремни среди.
Една от най-значимите характеристики на нашата MOCVD графитна сателитна платформа със SiC покритие е нейната способност да осигури покритие върху цялата повърхност, като избягва отлепването. Има устойчивост на високотемпературно окисление, осигуряваща стабилност дори при високи температури до 1600°C. Продуктът е произведен с висока чистота чрез CVD химическо отлагане на пари при условия на високотемпературно хлориране. Има плътна повърхност с фини частици, което го прави силно устойчив на корозия от киселина, основи, сол и органични реагенти.
Нашата MOCVD графитна сателитна платформа със SiC покритие е проектирана да гарантира най-добрия модел на ламинарен газов поток, гарантиращ равномерност на топлинния профил. Предотвратява всякакво замърсяване или дифузия на примеси, осигурявайки висококачествен епитаксиален растеж върху пластинковия чип. Ние предлагаме конкурентни цени за нашия продукт, което го прави достъпен за много клиенти. Нашият екип е посветен на предоставянето на отлично обслужване и поддръжка на клиентите. Ние покриваме много от европейските и американските пазари и се стремим да станем ваш дългосрочен партньор в предоставянето на висококачествена и надеждна MOCVD графитна сателитна платформа със SiC покритие. Свържете се с нас днес, за да научите повече за нашия продукт.
Параметри на MOCVD графитна сателитна платформа със SiC покритие
Основни спецификации на CVD-SIC покритие |
||
SiC-CVD свойства |
||
Кристална структура |
FCC β фаза |
|
Плътност |
g/cm³ |
3.21 |
твърдост |
Твърдост по Викерс |
2500 |
Размер на зърното |
μm |
2~10 |
Химическа чистота |
% |
99.99995 |
Топлинен капацитет |
J·kg-1 ·K-1 |
640 |
Температура на сублимация |
℃ |
2700 |
Felexural Сила |
MPa (RT 4 точки) |
415 |
Модулът на Йънг |
Gpa (4pt огъване, 1300 â) |
430 |
Термично разширение (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
Топлопроводимост |
(W/mK) |
300 |
Характеристики на MOCVD графитна сателитна платформа със SiC покритие
- Избягвайте отлепването и осигурете покритие върху цялата повърхност
Устойчивост на окисление при висока температура: Стабилен при високи температури до 1600°C
Висока чистота: направено чрез CVD химическо отлагане на пари при условия на високотемпературно хлориране.
Устойчивост на корозия: висока твърдост, плътна повърхност и фини частици.
Устойчивост на корозия: киселини, основи, соли и органични реагенти.
- Постигане на най-добрия модел на ламинарен газов поток
- Гарантирана равномерност на термичния профил
- Предотвратете всякакво замърсяване или дифузия на примеси