SiC ICP ецваща плоча

Semicorex SiC ICP Etching Plate отговаря на изискванията на индустрията, като предлага изключителна топлопроводимост, превъзходна твърдост и забележителна химическа стабилност, което я прави предпочитан избор за усъвършенствано производство на полупроводници.

Силициевият карбид е известен със своята изключителна топлопроводимост, което е ключов атрибут в производството на полупроводници. Това свойство позволява на SiC ICP ецващата плоча ефективно да разсейва топлината, генерирана по време на процеса на ецване, поддържайки оптимални работни температури. Чрез ефективно управление на топлината SiC ICP Etching Plate минимизира риска от прегряване, осигурявайки постоянна производителност и надеждност, дори при приложения с висока мощност. Това термично управление е от съществено значение за поддържане на целостта на процеса на ецване и постигане на висококачествени резултати.

Друга забележителна характеристика на SiC ICP ецващата плоча е нейната превъзходна твърдост и устойчивост на износване. Като един от най-твърдите налични материали, силициевият карбид проявява изключителна устойчивост на абразия и механично износване. Тази характеристика е особено ценна в среда за плазмено ецване, където ецващата плоча е изложена на агресивни химически и физически условия. Издръжливостта на SiC ICP Etching Plate се изразява в по-дълъг експлоатационен живот, намалено време на престой и по-ниски разходи за поддръжка, което го прави рентабилно решение за производство на голям обем.

В допълнение към своите термични и механични свойства, SiC ICP ецващата плоча предлага отлична химическа стабилност. Силициевият карбид е силно устойчив на корозия и химическа атака, което гарантира, че поддържа своята структурна цялост и производителност дори в сурови химически среди. Тази устойчивост на химическо разграждане е от решаващо значение за поддържане на прецизността и точността на процеса на ецване, тъй като всеки компромис в целостта на ецващата плоча може да доведе до дефекти в произвежданите полупроводникови устройства.