RTP RTA SiC покрит носач

Semicorex е мащабен производител и доставчик на графитен ток с покритие от силициев карбид в Китай. Графитен приемник Semicorex, проектиран специално за епитаксиално оборудване с висока устойчивост на топлина и корозия в Китай. Нашият RTP RTA SiC Coated Carrier има добро ценово предимство и покрива много от европейските и американските пазари. Очакваме с нетърпение да станем ваш дългосрочен партньор.

Изпратете запитване

Описание на продукта

Semicorex доставя RTP RTA SiC Coated Carrier, използван за поддържане на вафли, който е наистина стабилен за RTA, RTP или грубо химическо почистване. RTP RTA SiC Coated Carrier с графитна конструкция с покритие от силициев карбид (SiC) с висока чистота осигурява превъзходна устойчивост на топлина, равномерна термична еднородност за постоянна дебелина и устойчивост на епи слоя и трайна химическа устойчивост. Финото кристално покритие от SiC осигурява чиста, гладка повърхност, критична за работа, тъй като чистите пластини влизат в контакт с приемника в много точки по цялата им площ.
В Semicorex ние се фокусираме върху предоставянето на висококачествени, рентабилни RTP RTA SiC покрити носачи, ние даваме приоритет на удовлетвореността на клиентите и предоставяме рентабилни решения. Очакваме с нетърпение да станем ваш дългосрочен партньор, доставяйки висококачествени продукти и изключително обслужване на клиентите.

Параметри на RTP RTA SiC Coated Carrier

Основни спецификации на CVD-SIC покритие
SiC-CVD свойства
Кристална структура	FCC β фаза
Плътност	g/cm³	3.21
твърдост	Твърдост по Викерс	2500
Размер на зърното	μm	2~10
Химическа чистота	%	99.99995
Топлинен капацитет	J kg-1 K-1	640
Температура на сублимация	℃	2700
Felexural Сила	MPa (RT 4 точки)	415
Модулът на Йънг	Gpa (4pt завой, 1300 ℃)	430
Термично разширение (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Топлопроводимост	(W/mK)	300

Характеристики на RTP RTA SiC Coated Carrier

- Както графитният субстрат, така и слоят от силициев карбид имат добра плътност и могат да играят добра защитна роля при висока температура и корозивна работна среда.
- Сприцепторът с покритие от силициев карбид, използван за монокристален растеж, има много висока плоскост на повърхността.
- Намаляване на разликата в коефициента на топлинно разширение между графитния субстрат и слоя от силициев карбид, ефективно подобряване на якостта на свързване, за да се предотврати напукване и разслояване.
- Както графитният субстрат, така и слоят от силициев карбид имат висока топлопроводимост и отлични свойства за разпределение на топлината.
- Висока точка на топене, устойчивост на окисление при висока температура, устойчивост на корозия.