Водещите пръстени за покритие TaC са графитен пръстен с покритие от танталов карбид, предназначени за използване в пещи за растеж на кристали от силициев карбид за подобряване на качеството на кристалите. Изберете Semicorex заради неговата усъвършенствана технология за покритие, гарантираща превъзходна издръжливост, термична стабилност и оптимизирана производителност на растеж на кристали.*
Прочетете ощеИзпратете запитванеSemicorex Tantalum Carbide Guide Ring е графитен пръстен, покрит с танталов карбид, използван в пещи за отглеждане на кристали от силициев карбид за опора на зародишни кристали, оптимизиране на температурата и подобрена стабилност на растежа. Изберете Semicorex заради неговите модерни материали и дизайн, които значително подобряват ефективността и качеството на растежа на кристалите.*
Прочетете ощеИзпратете запитванеSemicorex Tantalum Carbide Ring е графитен пръстен, покрит с танталов карбид, използван като водещ пръстен в пещи за отглеждане на кристали от силициев карбид, за да се осигури прецизен контрол на температурата и газовия поток. Изберете Semicorex заради неговата усъвършенствана технология за покритие и висококачествени материали, осигуряващи издръжливи и надеждни компоненти, които подобряват ефективността на растежа на кристалите и продължителността на живота на продукта.*
Прочетете ощеИзпратете запитванеSemicorex SiC O Ring е високо ценен в редица индустрии заради техните изключителни способности за уплътняване и свойства на материала. Използването му обхваща приложения, при които екстремни условия като високи температури, агресивни химикали, механично натоварване и строга чистота са рутинни.**
Прочетете ощеИзпратете запитванеТаблата за вафли с покритие Semicorex TaC трябва да бъде проектирана така, че да издържа на предизвикателствата на екстремните условия в реакционната камера, включително високи температури и химически реактивни среди.**
Прочетете ощеИзпратете запитванеSemicorex LPE Halfmoon Reaction Chamber е незаменима за ефективната и надеждна работа на SiC епитаксия, като осигурява производството на висококачествени епитаксиални слоеве, като същевременно намалява разходите за поддръжка и повишава оперативната ефективност. **
Прочетете ощеИзпратете запитване