Епитаксиална вафлена лодка

Semicorex осигурява лодки за вафли, пиедестали и персонализирани носители за вафли както за вертикални/колони, така и за хоризонтални конфигурации. Ние сме производител и доставчик на покритие от силициев карбид от много години. Нашата епитаксиална вафлена лодка има добро ценово предимство и покрива повечето европейски и американски пазари. Очакваме с нетърпение да станем ваш дългосрочен партньор в Китай.

Изпратете запитване

Описание на продукта

Semicorex Epitaxial Wafer Boat, идеалното решение за обработка на пластини в производството на полупроводници. Нашите епитаксиални вафлени лодки са изработени от висококачествена керамика от силициев карбид (SiC), която осигурява превъзходна устойчивост на високи температури и химическа корозия.
Нашата епитаксиална вафлена лодка от силициев карбид има гладка повърхност, която минимизира генерирането на частици, осигурявайки най-високо ниво на чистота за вашите продукти. С отлична топлопроводимост и превъзходна механична якост, нашите лодки осигуряват постоянни и надеждни резултати.
Нашите епитаксиални лодки за вафли са съвместими с цялото стандартно оборудване за обработка на вафли и могат да издържат на температури до 1600°C. Те са лесни за боравене и почистване, което ги прави рентабилен и ефикасен избор за вашите производствени нужди.
Нашият екип от експерти се ангажира да предоставя най-доброто качество и обслужване. Предлагаме персонализирани дизайни, за да отговорим на вашите специфични изисквания, а нашите продукти са подкрепени от нашата програма за осигуряване на качество.

Параметри на епитаксиална вафлена лодка

Технически свойства
Индекс	Мерна единица	Стойност
Име на материала		Реакционно синтерован силициев карбид	Спечен силициев карбид без налягане	Прекристализиран силициев карбид
Състав		RBSiC	SSiC	R-SiC
Обемна плътност	g/cm3	3	3,15 ± 0,03	2,60-2,70
Якост на огъване	MPa (kpsi)	338 (49)	380 (55)	80-90 (20°C)90-100(1400°C)
Якост на натиск	MPa (kpsi)	1120 (158)	3970 (560)	> 600
твърдост	Кнуп	2700	2800	/
Прекъсваща упоритост	MPa m1/2	4.5	4	/
Топлопроводимост	Вт/м.к	95	120	23
Коефициент на термично разширение	10^-6.1/°C	5	4	4.7
Специфична топлина	Джаул/g 0k	0.8	0.67	/
Максимална температура на въздуха	℃	1200	1500	1600
Модул на еластичност	Общ успех	360	410	240

Разликата между SSiC и RBSiC:

1. Процесът на синтероване е различен. RBSiC е да инфилтрира свободен Si в силициев карбид при ниска температура, SSiC се образува чрез естествено свиване при 2100 градуса.

2. SSiC има по-гладка повърхност, по-висока плътност и по-висока якост, за някои уплътнения с по-строги изисквания към повърхността, SSiC ще бъде по-добър.

3. Различно използвано време при различни PH и температура, SSiC е по-дълъг от RBSiC

Характеристики на епитаксиалната вафлена лодка от силициев карбид

SiC с висока чистота, покрит от MOCVD
Превъзходна устойчивост на топлина и топлинна равномерност
Фин SiC кристал с покритие за гладка повърхност
Висока издръжливост срещу химическо почистване
Материалът е проектиран така, че да не се получават пукнатини и разслояване.