Носачи за пластини с SiC покритие за MOCVD

Нашите носители за плочи с SiC покритие за MOCVD се отличават с висока чистота, което го прави отличен избор за тези, които търсят носител, който е много еднороден и последователен в свойствата си.
Нашите носители за пластини с SiC покритие за MOCVD, направени с високочисто покритие от силициев карбид върху графит, което го прави изключително устойчив на окисление при високи температури до 1600°C. Процесът на химическо отлагане на пари CVD, използван при производството му, осигурява висока чистота и отлична устойчивост на корозия. Той е силно устойчив на корозия, с плътна повърхност и фини частици, което го прави устойчив на киселини, основи, соли и органични реагенти. Неговата устойчивост на високотемпературно окисление осигурява стабилност при високи температури до 1600°C.

Параметри на пластинчати носители с SiC покритие за MOCVD

Характеристики на SiC покрит графитен ток за MOCVD

- Избягвайте отлепването и осигурете покритие върху цялата повърхност
Устойчивост на окисление при висока температура: Стабилен при високи температури до 1600°C
Висока чистота: направено чрез CVD химическо отлагане на пари при условия на високотемпературно хлориране.
Устойчивост на корозия: висока твърдост, плътна повърхност и фини частици.
Устойчивост на корозия: киселини, основи, соли и органични реагенти.
- Постигане на най-добрия модел на ламинарен газов поток
- Гарантирана равномерност на термичния профил
- Предотвратете всякакво замърсяване или дифузия на примеси