Semicorex Tantalum Carbide Crucible е ключов компонент в полупроводниковата индустрия, специално проектиран за растеж на кристали от силициев карбид (SiC). Semicorex се ангажира да предоставя качествени продукти на конкурентни цени, очакваме с нетърпение да станем ваш дългосрочен партньор в Китай*.
Semicorex Tantalum Carbide Crucible е щателно изработен от графит, който след това е покрит с танталов карбид (TaC), комбинация, която осигурява превъзходна производителност във високотемпературната и химически взискателна среда на растеж на SiC кристали.
Танталовият карбид е огнеупорен керамичен материал, известен със своята изключителна твърдост, химическа устойчивост и способност да поддържа структурна цялост при изключително високи температури. Чрез покриване на графитния тигел с TaC, тигелът от танталов карбид наследява тези изгодни свойства, като значително подобрява неговата производителност и продължителност на живота. TaC покритието действа като защитна бариера, предотвратявайки реакцията на графита с SiC материала или други газове, присъстващи по време на процеса на растеж. Това гарантира, че тигелът запазва своята цялост и не въвежда никакви замърсители, които биха могли да компрометират качеството на SiC кристалите.
Тигелът от танталов карбид има способността да работи при повишени температури, необходими за растежа на кристалите SiC. Кристалите SiC обикновено се отглеждат при температури над 2000°C и поддържането на такива високи температури е от решаващо значение за производството на висококачествени кристали. Покритият с TaC графитен тигел може да издържи на тези екстремни условия, без да се деформира или разгражда, осигурявайки стабилна среда за процеса на растеж на кристалите. Тази стабилност е от съществено значение за постигане на желания размер на кристала, чистота и структурни свойства, необходими за полупроводникови приложения.
Тигелът от танталов карбид има силна химическа устойчивост, което ги прави от съществено значение за растежа на кристалите SiC. По време на процеса на растеж се въвеждат различни газове и реактивни видове, за да се подпомогне образуването на SiC кристали. Тези среди могат да бъдат силно корозивни, което представлява риск за структурната цялост на тигела. TaC покритието ефективно предпазва графита от тези корозивни елементи, като гарантира, че тигелът остава непокътнат и функциониращ по време на процеса. Тази устойчивост на химическа атака не само удължава живота на тигела, но също така допринася за цялостната ефективност и рентабилността на операцията за растеж на кристали.