Графитна тава с SiC покритие

Като основен компонент на епитаксиалното оборудване,Графитна тава с SiC покритие, пряко влияе върху ефективността на производството, еднородността и степента на дефектност на растежа на епитаксиалния слой.    

Чрез пречистване на графит, прецизна обработка и почистваща обработка, повърхността на графитния субстрат може да постигне отлична плоскост и гладкост, като успешно избягва риска от замърсяване с частици. Чрез химическо отлагане на пари, повърхността на графитния субстрат претърпява химическа реакция с реактивния газ, генерирайки плътно, без пори и равномерно дебело покритие от силициев карбид (SiC). От подготовката на субстрата до обработката на покритието, целият производствен процес се извършва в чиста стая от клас 100, която отговаря на стандартите за чистота, подходящи за полупроводници.

Графитна тава с покритие от SiC, която е изработена от графит с висока чистота и ниско съдържание на примеси и SiC материали, има отлична топлопроводимост и нисък коефициент на топлинно разширение. Той не само позволява на графитната тава с покритие от SiC да пренася топлината бързо и равномерно, за да подобри качеството на растеж на епитаксиалния слой, но също така ефективно намалява риска от разпадане или напукване на покритието поради термичен стрес. В допълнение, равномерното и плътно SiC покритие е устойчиво на високи температури, окисляване и корозия, осигурявайки стабилна работа за дълго време при условия на висока температура и корозивни газове.

Графитната тава с покритие от SiC има по-висока съвместимост с оборудване за металоорганично химическо отлагане на пари (MOCVD). Той е прецизно оразмерен и проектиран да се адаптира към различни параметри на процеса и изисквания към оборудването. Semicorex винаги настоява да предлага професионални персонализирани услуги на нашите уважаеми клиенти, за да отговори точно на техните изисквания за различни размери, дебелини на покритието и грапавост на повърхността на графитната тава с покритие от SiC.