TAC покритие на полумесец

TAC керамиката има точка на топене до 3880 ° C, висока твърдост (твърдост на MOHS 9-10), голяма топлопроводимост (22W · m-1 · k-1), голяма якост на огъване (340-400MPa) и малък коефициент на термично разширение (6,6 × 10-6k-1). Те също така проявяват отлична термохимична стабилност и отлични физически свойства и имат добра химическа и механична съвместимост с графит и C/C композити. Следователно, TAC покритията се използват широко в аерокосмическата термична защита, растежа на единични кристали, енергийната електроника и медицинските изделия.

Графитът, покрит с так Това е най-доброто покритие при сценариите за растеж на полупроводници от трето поколение и сценарии за ецване на вафли и може значително да подобри контрола на температурата и примесите в процеса и да приготви висококачествени силициеви карбидни вафли и свързаните с тях епитаксиални вафли. Той е особено подходящ за отглеждане на единични кристали GAN или ALN с MOCVD оборудване и отглеждане на SIC единични кристали с PVT оборудване. Качеството на порасналите единични кристали е значително подобрено.

Този продукт е идеално решение за производителите, които дават приоритет на прецизността, ефективността и издръжливостта в техните епитаксични процеси. Доверете се на Semicorex за високоефективни решения, предназначени да отговорят на развиващите се нужди на полупроводниковата индустрия.