Компоненти с TaC покритие при епитаксиален растеж

Работата на част с покритие е фундаментално свързана с качеството на нейния субстрат. Изборът на най-подходящия графитен основен материал за правоъгълните тръби с TaC покритие на Semicorex е внимателно направен от нашия инженерен екип, следвайки редица важни критерии, които са както следва:

Предимствата наПокритие от танталов карбид (TaC).

Покритията от танталов карбид (TaC) са необходими за някои от най-критичните части на системите за всмукване на въздух, предназначени за използване в тежки условия като тези, намиращи се в пещ за химическо отлагане на пари (CVD). Високата температура и излагането на корозивни газове, открити в CVD пещ, създават много предизвикателна работна среда. Със своя потенциал да осигури отлична химическа инертност и да устои на корозия и разграждане, използването на TaC покрития върху компоненти с TaC покритие за всмукване на въздух при епитаксиален растеж значително ще намали потенциала за създаване на дефектни частици, следователно, удължавайки живота на компонента и осигурявайки най-висок добив и качество на събраните епителни филми.

Превъзходна технология за покритие

Semicorex използва усъвършенствана CVD технология за производствоКомпоненти с покритие от TaC при епитаксиален растежза да отговарят на днешните най-взискателни индустриални стандарти както за производителност, така и за качество. Прецизността, с която Semicorex произвежда TaC покрития, е очевидна чрез високото качество на произведените покрития.

Оптимизиран избор на субстрат

Работата на част с покритие е фундаментално свързана с качеството на нейния субстрат. Изборът на най-подходящия графитен основен материал за правоъгълните тръби с TaC покритие на Semicorex е внимателно направен от нашия инженерен екип, следвайки редица важни критерии, които са както следва:

Ние избираме клас графит въз основа на неговите физични свойства, за да постигнем най-здравата връзка между TaC покритието и графитния субстрат. Това гарантира, че има максимална адхезия на TaC покритието към графитния субстрат.

Графитът, използван за направата на нашите правоъгълни тръби с TaC покритие, трябва да бъде с изключително висока чистота, за да се сведе до минимум възможността за отделяне на газове и замърсяване по време на нашия високотемпературен CVD процес.

Нашите стриктни процеси за снабдяване и контрол на качеството гарантират, че всяка партида графитен субстрат, който използваме, има едни и същи характеристики на материала. Това ни позволява да произвеждаме правоъгълна тръба с покритие от TaC всеки път със същите работни характеристики.

Доказана надеждност и партньорство

Нашите компоненти с TaC покритие в епитаксиален растеж са широко тествани и одобрени от много от най-големите и най-уважаваните производители в полупроводниковата индустрия. Тези производители са установили продуктите на Semicorex като надеждни стандарти за използване в критичните приложения на епитаксиалния растеж.

Ние осъзнаваме, че доставката на компоненти е важен компонент от вашия производствен процес. Ето защо Semicorex е поела ангажимента да бъде дългосрочен партньор, като предоставя висококачествени и надеждни доставки на продукти и като се отличава с предоставянето на логистична и следпродажбена поддръжка, за да поддържа бизнеса ви безпроблемен и непрекъснат.