PSS Etching Carrier Tray за LED

В Semicorex, ние проектирахме PSS Etching Carrier Tray за LED специално за суровите среди, необходими за процесите на епитаксиален растеж и обработка на пластини. Нашият ултрачист графитен носител е идеален за фази на отлагане на тънък слой като MOCVD, епитаксиални приемници, палачинкови или сателитни платформи и обработка на обработка на пластини като ецване. Носачът с покритие от SiC има висока устойчивост на топлина и корозия, отлични свойства за разпределение на топлината и висока топлопроводимост. Нашата PSS Etching Carrier Tray за LED е рентабилна и предлага добро ценово предимство. Ние обслужваме много европейски и американски пазари и с нетърпение очакваме да станем ваш дългосрочен партньор в Китай.

Изпратете запитване

Описание на продукта

PSS Etching Carrier Tray на Semicorex за LED е проектиран за тежки среди, необходими за процесите на епитаксиален растеж и работа с пластини. Нашият ултрачист графитен носител е проектиран да поддържа пластини по време на фази на отлагане на тънък слой като MOCVD и епитаксиални приемници, палачинки или сателитни платформи. Носачът с покритие от SiC има висока устойчивост на топлина и корозия, отлични свойства за разпределение на топлината и висока топлопроводимост. Нашите продукти са рентабилни и имат добро ценово предимство. Ние обслужваме много европейски и американски пазари и с нетърпение очакваме да станем ваш дългосрочен партньор в Китай.

Свържете се с нас днес, за да научите повече за нашата PSS Etching Carrier Tray за LED.

Параметри на PSS Etching Carrier Tray за LED

Основни спецификации на CVD-SIC покритие
SiC-CVD свойства
Кристална структура	FCC β фаза
Плътност	g/cm³	3.21
твърдост	Твърдост по Викерс	2500
Размер на зърното	μm	2~10
Химическа чистота	%	99.99995
Топлинен капацитет	J kg-1 K-1	640
Температура на сублимация	℃	2700
Felexural Сила	MPa (RT 4 точки)	415
Модулът на Йънг	Gpa (огъване 4 точки, 1300 ℃)	430
Термично разширение (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Топлопроводимост	(W/mK)	300