Semicorex Porous Graphite с TaC покритие е специализиран материал, предназначен да отговори на критичните предизвикателства при растежа на кристали от силициев карбид (SiC). Semicorex се ангажира да предоставя качествени продукти на конкурентни цени, очакваме с нетърпение да станем ваш дългосрочен партньор в Китай*.
Semicorex Porous Graphite с TaC покритие съчетава уникалните свойства на порестия графит със защитните и подобряващи способности на TaC покритието, предлагайки значителни подобрения спрямо традиционните материали, използвани във високотемпературни тигели.
Графитът и порестият графит, макар и широко използвани заради тяхната термична стабилност и електрическа проводимост, представляват значителни предизвикателства в среда с висока температура. Порестият графит, по-специално, е предпочитан заради високата си пропускливост, която позволява по-добър газов поток и равномерно разпределение на температурата. Високата му порьозност обаче го прави механично слаб, което води до трудности при обработката и точното оформяне на материала. Освен това порестата структура може да доведе до отделяне на частици, което замърсява SiC кристалите. Порестият графит също е податлив на химическо ецване и разграждане при високи температури и реактивни среди, което нарушава целостта на тигела. По същия начин, докато праховете от танталов карбид (TaC) често се използват за покриване или смесване с графит за подобряване на свойствата му, тяхното равномерно нанасяне и адхезия може да бъде предизвикателство, което води до неравни повърхности и потенциално замърсяване.
Продуктът Porous Graphite with TaC Coating ефективно преодолява горните предизвикателства чрез интегриране на най-добрите свойства на двата материала:
Подобрена механична якост: TaC покритието значително увеличава механичната якост на порестия графит, което прави порестия графит с TaC покритие по-лесен за обработка и оформяне, без да се компрометира структурната цялост на материала.
Намалено отделяне на частици: TaC покритието образува защитен слой върху порестия графит, намалявайки вероятността от отделяне на частици и замърсяване на кристалите SiC.
Подобрена химическа устойчивост: TaC е силно устойчив на химическо ецване и разграждане, осигурявайки трайна бариера, която защитава порестия графит от реактивни газове и среда с висока температура.
Термична стабилност и проводимост: И графитът, и TaC показват отлична термична стабилност и проводимост. Комбинацията от порест графит с TaC покритие гарантира, че тигелът поддържа равномерно разпределение на температурата, което е от решаващо значение за растежа без дефекти на SiC кристали.
Оптимизирана пропускливост: Присъщата порьозност на графита позволява ефективен газов поток и управление на топлината, докато TaC покритието гарантира, че тази пропускливост се поддържа, без да се нарушава целостта на материала.
Semicorex Porous Graphite с TaC покритие представлява значителен напредък в материалите, използвани за растеж на SiC кристали. Като се справя с механичните, химичните и термичните предизвикателства, свързани с традиционните графитни и TaC прахове, Porous Graphite с TaC покритие гарантира по-високо качество на SiC кристали с по-малко дефекти. Комбинацията от пропускливостта на порестия графит и защитните свойства на TaC предлага стабилно решение за високотемпературни приложения, което го прави основен материал в производството на модерни полупроводници и електронни устройства.