Порести графитни материали за приложения за растеж на монокристален SiC

Порестите графитни материали Semicorex са проектирани да отговорят на високите изисквания на приложенията за растеж на кристали SiC. Проектирани с прецизност и изработени за производителност, тези материали са вашият ключ към постигането на превъзходни SiC кристали с несравнимо качество и чистота.

Характеристика:

Оптимизирана порьозност: Нашите порести графитни материали се отличават с прецизно контролирани нива на порьозност, за да улеснят растежа на монокристален SiC. Равномерното разпределение на порите осигурява постоянни и надеждни резултати.

Висока топлопроводимост: За да се осигури ефективен пренос на топлина по време на процеса на растеж на SiC, нашите материали са проектирани с висока топлопроводимост, намалявайки температурните градиенти и минимизирайки кристалните дефекти.

Химическа инертност: Устойчивостта на сурови химически среди е от първостепенно значение при приложенията за растеж на кристали. Нашите материали са изключително химически инертни, което гарантира, че остават стабилни и незасегнати от корозивния характер на процесите на растеж на SiC.

Механична стабилност: Проектирани за дълготрайност, тези материали показват изключителна механична стабилност, минимизирайки риска от деформация или повреда при продължителна употреба.

Възможност за персонализиране: Ние разбираме, че различните процеси на растеж на кристали имат уникални изисквания. Ето защо ние предлагаме набор от опции за персонализиране, включително различни нива на порьозност, размери и форми, за да приспособим нашите материали към вашите специфични нужди.