Новини

TSMC: Пробно производство с риск от 2nm процес през следващата година

В техния наскоро публикуван годишен доклад председателят на TSMC Deyin Liu и главният изпълнителен директор Chieh-Jia Wei разкриха напредъка, свързан с 2nm процеса.

Сценарии за приложение за епитаксиални слоеве

Ние знаем, че трябва да бъдат изградени допълнителни епитаксиални слоеве върху някои пластинови субстрати за производство на устройства, обикновено LED светлоизлъчващи устройства, които изискват GaAs епитаксиални слоеве върху силициеви субстрати; SiC епитаксиалните слоеве се отглеждат върху проводящ......

Обсъждане на CVD пещ

Китай остава най-големият пазар на полупроводниково оборудване

Световните продажби на оборудване за производство на полупроводници се увеличиха с 5 процента от 102,6 милиарда долара през 2021 г. до рекорда за всички времена от 107,6 милиарда долара през миналата година, SEMI, индустриалната асоциация, представляваща глобалната верига за доставки на дизайн и про......

CVD процес за епитаксия на SiC пластини

CVD процесът за епитаксия на SiC пластини включва отлагането на SiC филми върху SiC субстрат с помощта на реакция в газова фаза. SiC прекурсорните газове, обикновено метилтрихлоросилан (MTS) и етилен (C2H4), се въвеждат в реакционна камера, където SiC субстратът се нагрява до висока температура (оби......

Япония наскоро ограничи износа на 23 вида оборудване за производство на полупроводници

Япония наскоро ограничи износа на 23 вида оборудване за производство на полупроводници. Съобщението развълнува цялата индустрия, тъй като се очаква този ход да има значително въздействие върху глобалните вериги за доставки за производство на полупроводници.