- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Новини
Какви са предизвикателствата пред производството на субстрат от силициев карбид?
Силициевият карбид (SiC) е материал, който притежава висока енергия на свързване, подобно на други твърди материали като диамант и кубичен борен нитрид. Въпреки това, високата енергия на свързване на SiC затруднява директното кристализиране в блокове чрез традиционните методи на топене. Следователно......
Прочетете още
Производство на силициев карбид
Производството на силициев карбид включва верига от процеси, които включват създаване на субстрат, епитаксиален растеж, проектиране на устройство, производство на устройство, опаковане и тестване. Като цяло силициевият карбид се създава като слитъци, които след това се нарязват, шлифоват и полират, ......
Прочетете още
Какво е силициев карбид (SiC)?
Полупроводниковите материали могат да бъдат разделени на три поколения според времевата последователност. Първото поколение германий, силиций и други общи мономатериали, което се характеризира с удобно превключване, обикновено използвано в интегрални схеми. Второто поколение галиев арсенид, индиев ф......
Прочетете още
Можете ли да смилате силициев карбид?
Силициевият карбид (SiC) има важни приложения в области като силова електроника, високочестотни RF устройства и сензори за устойчиви на висока температура среди поради отличните си физикохимични свойства. Въпреки това, операцията по нарязване по време на обработката на SiC вафла въвежда повреди на п......
Прочетете още
GaN срещу SiC
В момента има няколко материала, които се изследват, сред които силициевият карбид се откроява като един от най-обещаващите. Подобно на GaN, той може да се похвали с по-високи работни напрежения, по-високи напрежения на пробив и превъзходна проводимост в сравнение със силиция. Освен това, благодарен......
Прочетете още
Предимства и недостатъци на приложенията на галиев нитрид (GaN).
Докато светът търси нови възможности в полупроводниците, галиевият нитрид продължава да се откроява като потенциален кандидат за бъдещи енергийни и радиочестотни приложения. Въпреки това, въпреки всички предимства, които предлага, той все още е изправен пред голямо предизвикателство; няма продукти о......
Прочетете още
