Infineon разкрива първата в света 300 mm мощна GaN пластина

Наскоро Infineon Technologies обяви успешното разработване на първата в света 300 mm мощност галиев нитрид (GaN) технология за пластини. Това ги прави първата компания, която овладява тази новаторска технология и постига масово производство в рамките на съществуващите широкомащабни производствени среди с голям капацитет. Тази иновация бележи значителен напредък на пазара на силови полупроводници, базирани на GaN.

Как се сравнява технологията 300 mm с технологията 200 mm?

В сравнение с 200-милиметровата технология, използването на 300-милиметрови пластини позволява производството на 2,3 пъти повече GaN чипове на пластина, което значително повишава ефективността на производството и изхода. Този пробив не само консолидира лидерството на Infineon в областта на енергийните системи, но също така ускорява бързото развитие на GaN технологията.

Какво каза изпълнителният директор на Infineon за това постижение?

Изпълнителният директор на Infineon Technologies Йохен Ханебек заяви: „Това забележително постижение демонстрира нашата стабилна сила в иновациите и е доказателство за безмилостните усилия на нашия глобален екип. Ние твърдо вярваме, че този технологичен пробив ще промени индустриалните норми и ще отключи пълния потенциал на GaN технологията. Близо година след нашето придобиване на GaN Systems, ние отново демонстрираме решимостта си да бъдем водещи на бързо развиващия се пазар на GaN. Като лидер в енергийните системи, Infineon спечели конкурентно предимство в три ключови материала: силиций, силициев карбид и GaN.“

Изпълнителният директор на Infineon Йохен Ханебек държи една от първите в света 300 mm GaN Power пластини, произведени в съществуваща и мащабируема производствена среда с голям обем

Защо 300 mm GaN технологията е изгодна?

Едно значително предимство на технологията 300 mm GaN е, че тя може да бъде произведена с помощта на съществуващо оборудване за производство на 300 mm силиций, тъй като GaN и силиций споделят прилики в производствените процеси. Тази функция позволява на Infineon безпроблемно да интегрира технологията GaN в настоящите си производствени системи, като по този начин ускорява приемането и приложението на технологията.

Къде Infineon успешно произвежда 300 mm GaN вафли?

Понастоящем Infineon успешно е произвела 300 mm GaN пластини на съществуващите 300 mm силициеви производствени линии в своята електроцентрала във Филах, Австрия. Надграждайки установената основа на 200 mm GaN технология и 300 mm производство на силиций, компанията допълнително разшири своите технологични и производствени възможности.

Какво означава този пробив за бъдещето?

Този пробив не само подчертава силните страни на Infineon в иновациите и възможностите за широкомащабно производство, но също така поставя солидна основа за бъдещото развитие на индустрията на силовите полупроводници. Тъй като GaN технологията продължава да се развива, Infineon ще продължи да стимулира растежа на пазара, като допълнително ще засили лидерската си позиция в глобалната полупроводникова индустрия.**