- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Новини
Постигане на висококачествен растеж на SiC кристали чрез контрол на температурния градиент в началната фаза на растеж
Силициевият карбид (SiC) е широколентов полупроводников материал, който привлече значително внимание през последните години поради изключителната си производителност при приложения с високо напрежение и висока температура. Това изследване систематично изследва различните характеристики на SiC криста......
Прочетете още
Изследването на реакционно синтерованата SiC керамика и техните свойства
Силициевият карбид (SiC) е съединение, образувано от ковалентни връзки между силиций и въглеродни атоми, известно със своята отлична устойчивост на износване, устойчивост на термичен удар, устойчивост на корозия и висока топлопроводимост.
Прочетете още
Как се прилага керамиката от силициев карбид и какво е нейното бъдеще по отношение на устойчивостта на износване и висока температура?
Керамиката от силициев карбид (SiC), известна със своята висока якост, твърдост, устойчивост на износване, устойчивост на корозия и стабилност при високи температури, демонстрира огромен потенциал и стойност в множество индустриални сектори от въвеждането им.
Прочетете още
Изследване на разпределението на електрическото съпротивление в n-тип 4H-SiC кристали
4H-SiC, като полупроводников материал от трето поколение, е известен със своята широка ширина на лентата, висока топлопроводимост и отлична химическа и термична стабилност, което го прави много ценен в приложения с висока мощност и висока честота.
Прочетете още
