Система Epi с индуктивно нагряване на барел

Ако имате нужда от графитен ток с изключителна топлопроводимост и свойства за разпределение на топлината, не търсете повече от Semicorex Inductively Heated Barrel Epi System. Неговото SiC покритие с висока чистота осигурява превъзходна защита при висока температура и корозивна среда, което го прави идеалният избор за използване в приложения за производство на полупроводници.

Изпратете запитване

Описание на продукта

Системата Semicorex Inductively Heated Barrel Epi System е идеалният избор за приложения за производство на полупроводници, които изискват изключително разпределение на топлината и топлопроводимост. Неговото SiC покритие с висока чистота и превъзходна плътност осигуряват превъзходни свойства за защита и разпределение на топлината, гарантирайки надеждна и постоянна работа дори в най-предизвикателните среди.
В Semicorex ние се фокусираме върху предоставянето на висококачествени, рентабилни продукти на нашите клиенти. Нашата система Epi с индуктивно нагряване има ценово предимство и се изнася на много европейски и американски пазари. Ние се стремим да бъдем ваш дългосрочен партньор, предоставяйки продукти с постоянно качество и изключително обслужване на клиентите.

Параметри на индуктивно нагрята барел Epi система

Основни спецификации на CVD-SIC покритие
SiC-CVD свойства
Кристална структура	FCC β фаза
Плътност	g/cm³	3.21
твърдост	Твърдост по Викерс	2500
Размер на зърното	μm	2~10
Химическа чистота	%	99.99995
Топлинен капацитет	J kg-1 K-1	640
Температура на сублимация	℃	2700
Felexural Сила	MPa (RT 4 точки)	415
Модулът на Йънг	Gpa (огъване 4 точки, 1300 ℃)	430
Термично разширение (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Топлопроводимост	(W/mK)	300

Характеристики на системата Epi с индуктивно нагряване на барел

- Както графитният субстрат, така и слоят от силициев карбид имат добра плътност и могат да играят добра защитна роля при висока температура и корозивна работна среда.

- Сприцепторът с покритие от силициев карбид, използван за растеж на единични кристали, има много висока плоскост на повърхността.

- Намаляване на разликата в коефициента на топлинно разширение между графитния субстрат и слоя от силициев карбид, ефективно подобряване на якостта на свързване, за да се предотврати напукване и разслояване.

- Както графитният субстрат, така и слоят от силициев карбид имат висока топлопроводимост и отлични свойства за разпределение на топлината.

- Висока точка на топене, устойчивост на окисление при висока температура, устойчивост на корозия.