Индуктивно свързана плазма (ICP)

Токоприемникът с покритие от силициев карбид на Semicorex за индуктивно свързана плазма (ICP) е проектиран специално за процеси на обработка на пластини при висока температура като епитаксия и MOCVD. Със стабилна устойчивост на високотемпературно окисление до 1600°C, нашите носители осигуряват равномерни топлинни профили, модели на ламинарен газов поток и предотвратяват замърсяване или дифузия на примеси.

Изпратете запитване

Описание на продукта

Нуждаете се от носител за пластини, който може да се справи с висока температура, тежки химически среди? Не търсете повече от сензора на Semicorex с покритие от силициев карбид за индуктивно свързана плазма (ICP). Нашите носители се отличават с фино кристално покритие от SiC, което осигурява превъзходна устойчивост на топлина, равномерна топлинна еднородност и трайна химическа устойчивост.
Свържете се с нас днес, за да научите повече за нашия SiC приемник за индуктивно свързана плазма (ICP).

Параметри на сензора за индуктивно свързана плазма (ICP)

Основни спецификации на CVD-SIC покритие
SiC-CVD свойства
Кристална структура	FCC β фаза
Плътност	g/cm³	3.21
Твърдост	Твърдост по Викерс	2500
Размер на зърното	μm	2~10
Химическа чистота	%	99.99995
Топлинен капацитет	J kg-1 K-1	640
Температура на сублимация	℃	2700
Felexural Сила	MPa (RT 4 точки)	415
Модулът на Йънг	Gpa (4pt завой, 1300 ℃)	430
Термично разширение (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Топлопроводимост	(W/mK)	300