Издръжлив барел с покритие от SiC

Със своята отлична плътност и топлопроводимост, Semicorex Durable SiC-Coated Barrel Susceptor е идеалният избор за използване в епитаксиални процеси и други приложения за производство на полупроводници. Неговото SiC покритие с висока чистота осигурява превъзходна защита и свойства за разпределение на топлината, което го прави предпочитан избор за надеждни и постоянни резултати.

Изпратете запитване

Описание на продукта

Ако се нуждаете от висококачествен графитен фиксатор с превъзходна устойчивост на топлина и корозия, не търсете повече от Semicorex Durable SiC-Coated Barrel Suceptor. Неговото покритие от силициев карбид осигурява изключителна топлопроводимост и разпределение на топлината, осигурявайки надеждна и постоянна работа дори в най-взискателните високотемпературни среди.
Нашият издръжлив барел с покритие от SiC е проектиран да постигне най-добрия модел на ламинарен газов поток, осигуряващ равномерност на топлинния профил. Това помага да се предотврати каквото и да е замърсяване или дифузия на примеси, като се гарантира висококачествен епитаксиален растеж върху пластинковия чип.
Свържете се с нас днес, за да научите повече за нашия издръжлив барел с покритие от SiC.

Параметри на издръжлив барел с покритие от SiC

Основни спецификации на CVD-SIC покритие
SiC-CVD свойства
Кристална структура	FCC β фаза
Плътност	g/cm³	3.21
Твърдост	Твърдост по Викерс	2500
Размер на зърното	μm	2~10
Химическа чистота	%	99.99995
Топлинен капацитет	J kg-1 K-1	640
Температура на сублимация	℃	2700
Felexural Сила	MPa (RT 4 точки)	415
Модулът на Йънг	Gpa (огъване 4 точки, 1300 ℃)	430
Термично разширение (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Топлопроводимост	(W/mK)	300

Характеристики на издръжлив барел с покритие от SiC

- Както графитният субстрат, така и слоят от силициев карбид имат добра плътност и могат да играят добра защитна роля при висока температура и корозивна работна среда.

- Сприцепторът с покритие от силициев карбид, използван за растеж на единични кристали, има много висока плоскост на повърхността.

- Намаляване на разликата в коефициента на топлинно разширение между графитния субстрат и слоя от силициев карбид, ефективно подобряване на якостта на свързване, за да се предотврати напукване и разслояване.

- Както графитният субстрат, така и слоят от силициев карбид имат висока топлопроводимост и отлични свойства за разпределение на топлината.

- Висока точка на топене, устойчивост на окисление при висока температура, устойчивост на корозия.