SiN субстрати

Semicorex Silicon Nitride SiN субстрати са усъвършенствани керамични материали с изключителни механични, електрически и термични свойства. Тези субстрати са съставени от силициеви и азотни атоми, свързани заедно в кристална структура, която им предоставя уникална комбинация от здравина, издръжливост и термична устойчивост. SiN субстратите се превърнаха в основен материал в различни приложения с висока производителност, особено в полупроводникови устройства, където тези свойства повишават надеждността и ефективността на интегралните схеми (IC), сензорите и микроелектромеханичните системи (MEMS).

Ключови характеристики

Висока якост и издръжливост:SiN субстратите са признати за тяхната превъзходна механична якост и издръжливост в сравнение с други керамични материали. Способността им да издържат на напукване и да поддържат структурната цялост при екстремни условия ги прави силно желани за приложения, където механичната стабилност е от решаващо значение. Това е особено важно при полупроводникови процеси, които често включват среди с високо напрежение и прецизно боравене.

Отлична топлопроводимост:Топлинното управление е критичен фактор за производителността на полупроводниковите устройства. SiN субстратите показват отлична топлопроводимост, позволявайки на топлината да се разсейва ефективно от активните зони на електронните компоненти. Това свойство осигурява оптимална работа и удължава живота на устройствата чрез предотвратяване на прегряване, често срещана причина за влошаване на производителността.

Химическа стабилност и устойчивост на корозия:Силициевият нитрид е силно устойчив на химическа корозия, което го прави идеален за използване в тежки среди, където излагането на химикали или екстремни температури е проблем. SiN субстратите запазват структурната си цялост дори когато са изложени на корозивни газове, киселини и основи, осигурявайки дългосрочна надеждност в индустриални приложения.

Ниска диелектрична константа:Едно от съществените изисквания към субстратите в микроелектронните устройства са ниските стойности на диелектричната константа. SiN субстратите показват ниски диелектрични константи, които намаляват загубата на сигнал и подобряват електрическите характеристики на интегралните схеми. Тази функция е особено важна при високочестотни приложения като 5G комуникационни системи, където целостта на сигнала е от първостепенно значение.

Устойчивост на термичен удар:Субстратите от силициев нитрид могат да издържат на бързи температурни промени, без да страдат от термичен шок или напукване. Това свойство е ценно в приложения, включващи променлива топлинна среда, като например в силова електроника и високотемпературни сензори, където внезапните промени в температурата са често срещани.

Silicon Nitride SiN субстратите Semicorex предлагат уникален набор от свойства, които ги правят незаменими в полупроводниковата индустрия и извън нея. Тяхната комбинация от механична якост, топлопроводимост и химическа устойчивост ги позиционира като предпочитан материал за приложения, изискващи висока надеждност и производителност. Независимо дали в полупроводникови устройства, MEMS, оптоелектроника или силова електроника, SiN субстратите осигуряват основата за авангардни технологии, които оформят бъдещето на електрониката.