Китай Керамика Производители, доставчици, фабрика

Силициевокарбидната керамика (SiC) е усъвършенстван керамичен материал, съдържащ силиций и въглерод. Зърната от силициев карбид могат да бъдат свързани заедно чрез синтероване, за да се образува много твърда керамика. Semicorex доставя персонализирана керамика от силициев карбид според вашите изисквания.

Приложения

С керамиката от силициев карбид свойствата на материала остават постоянни до температури над 1400°C. Високият модул на Юнг > 400 GPa осигурява отлична стабилност на размерите.

Типично приложение за компоненти от силициев карбид е динамична технология за уплътняване, използваща фрикционни лагери и механични уплътнения, например в помпи и задвижващи системи.

● Втулка на оста →

● Втулка →

● Механично уплътнение →

С усъвършенстваните свойства керамиката от силициев карбид е идеална и за използване в полупроводниковата индустрия.

● Вафлен носач →

● Вафлена лодка →

Вафлени лодки
Semicorex Wafer Boat е изработена от синтерована керамика от силициев карбид, която има добра устойчивост на корозия и отлична устойчивост на високи температури и термичен шок. Усъвършенстваната керамика осигурява отлична термична устойчивост и плазмена издръжливост, като същевременно смекчава частиците и замърсителите за носители за пластини с голям капацитет.

Реакционно синтерован силициев карбид

В сравнение с други процеси на синтероване, промяната на размера на реакционното синтероване по време на процеса на уплътняване е малка и могат да бъдат произведени продукти с точни размери. Въпреки това, наличието на голямо количество SiC в синтерованото тяло влошава характеристиките при висока температура на реакционно синтерованата SiC керамика.

Спечен силициев карбид без налягане

Спеченият силициев карбид без налягане (SSiC) е особено лека и в същото време твърда керамика с висока производителност. SSiC се характеризира с висока якост, която остава почти постоянна дори при екстремни температури.

Рекристален силициев карбид

Прекристализираният силициев карбид (RSiC) са материали от следващо поколение, образувани чрез смесване на груб прах от силициев карбид с висока чистота и фин прах от високоактивен силициев карбид и след фугиране, вакуумно синтероване при 2450 °C за рекристализиране.