MOCVD SiC покрит графитен ток

Semicorex MOCVD SiC Coated Graphite Susceptor е усъвършенстван и специализиран компонент, използван в процеса на метално-органично химическо отлагане на пари, решаваща техника в производството на полупроводници, оптоелектронни устройства и други модерни материали. Този приемник играе ключова роля в улесняването на растежа на тънки филми и епитаксиални слоеве с прецизност и ефективност.

MOCVD SiC Coated Graphite Susceptor е изработен от висококачествен графит, избран заради неговата термична стабилност и отлична топлопроводимост. Присъщите свойства на графита го правят идеален материал за издържане на взискателните условия в MOCVD реактора. За да се подобри неговата производителност и да се удължи живота му, графитният фиксатор е щателно покрит със слой от силициев карбид (SiC).

MOCVD SiC Coated Graphite Susceptor стои като ключов компонент в сферата на производството на полупроводници, въплъщавайки сливането на авангардни материали и прецизно инженерство. Неговата издръжливост, термична ефективност и защитни способности го правят незаменим елемент в търсенето на висококачествени, възпроизводими тънки филми и епитаксиални слоеве, които са от съществено значение за производството на модерни електронни и оптоелектронни устройства.