ALD планетарен токоприемник

Приложения:

Високо-k диелектрично отлагане: ALD Planetary Susceptor показва отлична устойчивост на агресивни прекурсори, използвани при отлагане на диелектрични материали с висок k, като хафниев оксид (HfO2) и алуминиев оксид (Al2O3). Това прави ALD Planetary Susceptor подходящ за производство на високопроизводителни транзистори за приложения с логика и памет.

Слоеве за метализация: Високотемпературната стабилност на ALD Planetary Susceptor позволява отлагане на метализиращи слоеве при повишени температури, което води до подобрени свойства на филма като по-ниско съпротивление и по-висока плътност. Това е от решаващо значение за създаването на ефективни връзки в усъвършенствани полупроводникови устройства.

Производство на оптоелектронни устройства:Инертната природа на ALD Planetary Susceptor минимизира нежеланите реакции с прекурсори, използвани при отлагане на чувствителни материали като III-V полупроводници, което прави ALD Planetary Susceptor идеално подходящ за производство на светодиоди, лазери и други оптоелектронни компоненти.

ALD цикъл

Отлагане на атомен слой (ALD)предлага няколко ключови предимства пред други техники за отлагане на тънък слой, което го прави все по-популярен за различни приложения, особено в микроелектрониката и нанотехнологиите.

Ето някои от основните предимства на ALD:

1. Контрол на дебелината на ниво ангстрьом:

ALD позволява прецизен контрол на дебелината на филма до нивото на ангстрьом (0,1 нанометра). Това ниво на прецизност се постига чрез неговите самоограничаващи се повърхностни реакции, при които всеки цикъл отлага единичен атомен слой.

2. Отлична еднородност и съответствие:

ALD показва изключителна еднородност върху големи повърхностни площи и сложни 3D структури, включително функции с високо съотношение на страните като канали и отвори. Това е от решаващо значение за приложения, изискващи еднакви покрития върху сложни геометрии, като например в полупроводникови устройства.

3. Ниска температура на отлагане:

ALD може да се извърши при относително ниски температури (често под 300°C) в сравнение с други техники на отлагане. Това е предимство за чувствителни към топлина субстрати и позволява използването на по-широка гама от материали.

4. Висококачествени филми:

ALD обикновено произвежда филми с отлична плътност, ниски нива на примеси и висока еднородност на състава и дебелината. Тези характеристики са от съществено значение за постигане на оптимална производителност в различни приложения.

5. Богат избор на материали:

ALD предлага широк избор от материали, които могат да бъдат депозирани, включително оксиди, нитриди, метали и сулфиди. Тази гъвкавост го прави подходящ за широк спектър от приложения.

6. Мащабируемост и промишлена приложимост:

Технологията ALD е силно мащабируема и може лесно да се интегрира в съществуващи производствени процеси. Съвместим е с различни размери и форми на субстрата, което го прави подходящ за производство в голям обем.