6'' Wafer Carrier за Aixtron G5

Semicorex 6'' Wafer Carrier за Aixtron G5, често наричан фиксатори, играе съществена роля, като държи сигурно полупроводниковите пластини по време на високотемпературна обработка. Сцепторите гарантират, че пластините остават във фиксирана позиция, което е от решаващо значение за равномерното отлагане на слоя:

Топлинно управление:

6-инчовият носител за пластини за Aixtron G5 е проектиран да осигурява равномерно нагряване и охлаждане по цялата повърхност на пластината, което е критично за процесите на епитаксиален растеж, използвани за създаване на висококачествени полупроводникови слоеве.

Епитаксиален растеж:

SiC и GaN слоеве:

Платформата Aixtron G5 се използва предимно за епитаксиален растеж на SiC и GaN слоеве. Тези слоеве са основни при производството на транзистори с висока мобилност на електрони (HEMT), светодиоди и други усъвършенствани полупроводникови устройства.

Прецизност и еднородност:

Високата прецизност и еднородност, изисквани в процеса на епитаксиален растеж, се улесняват от изключителните свойства на 6'' Wafer Carrier за Aixtron G5. Носачът спомага за постигането на строга дебелина и еднородност на състава, необходими за високопроизводителни полупроводникови устройства.

Предимства:

Стабилност при висока температура:

Устойчивост на екстремни температури:

6'' Wafer Carrier за Aixtron G5 може да издържи на изключително високи температури, често надвишаващи 1600°C. Тази стабилност е от решаващо значение за епитаксиални процеси, които изискват поддържане на високи температури за продължителни периоди.

Термична цялост:

Способността на 6'' Wafer Carrier за Aixtron G5 да поддържа структурна цялост при такива високи температури осигурява постоянна производителност и намалява риска от термично разграждане, което може да компрометира качеството на полупроводниковите слоеве.

Отлична топлопроводимост:

Разпределение на топлината:

Високата топлопроводимост на SiC улеснява ефективния пренос на топлина през повърхността на пластината, осигурявайки равномерен температурен профил. Тази еднородност е жизненоважна за избягване на термични градиенти, които могат да доведат до дефекти и нееднородности в епитаксиалните слоеве.

Подобрен контрол на процеса:

Подобреното термично управление позволява по-добър контрол върху процеса на епитаксиален растеж, позволявайки производството на по-висококачествени полупроводникови слоеве с по-малко дефекти.

Химическа устойчивост:

Съвместимост с корозивна среда:

6'' Wafer Carrier за Aixtron G5 осигурява изключителна устойчивост на корозивните газове, които обикновено се използват в CVD процеси, като водород и амоняк. Тази устойчивост удължава живота на носителите на пластини, като предпазва графитния субстрат от химическа атака.

Намалени разходи за поддръжка:

Издръжливостта на 6'' Wafer Carrier за Aixtron G5 намалява честотата на поддръжка и подмяна, което води до по-ниски оперативни разходи и увеличено време за работа на оборудването Aixtron G5.

Нисък коефициент на термично разширение (CTE):

Минимален термичен стрес:

Ниският CTE на SiC помага за минимизиране на топлинния стрес по време на бързите цикли на нагряване и охлаждане, присъщи на процесите на епитаксиален растеж. Това намаляване на топлинния стрес намалява вероятността от напукване или изкривяване на пластини, което може да доведе до повреда на устройството.

Съвместимост с оборудване Aixtron G5:

Персонализиран дизайн:

Semicorex 6'' Wafer Carrier за Aixtron G5 е специално проектиран да бъде съвместим с оборудването на Aixtron G5, осигурявайки оптимална производителност и безпроблемна интеграция.

Максимална производителност:

Тази съвместимост увеличава максимално производителността и ефективността на системата Aixtron G5, позволявайки й да отговори на взискателните изисквания на съвременните процеси за производство на полупроводници.