Горна половина луна

Semicorex горната половина луна е полукръгла вафтова носач, щателно проектиран за епитаксиално оборудване за обработка. Като критичен компонент на чувствителността в процеса на растеж на епитаксиалния растеж, тази част е проектирана да поддържа и стабилизира силициевите вафли по време на високотемпературно отлагане на химически пари (CVD). Произведен от графит с висока чист и защитен с равномерно покритие на силициев карбид (SIC), горната половина луна съчетава механична устойчивост, отлична термична проводимост и изключителна устойчивост на корозия, за да отговори на нуждите на високоточна епитаксия.

Този продукт получава името си от своята отчетлива геометрия на полумесец, която е изградена целенасочена за специфични ротационни платформи в епитаксиални реактори с една вафла или много вафли. Уникалната му форма не само улеснява равномерния поток на газ и топлинното разпределение, но също така позволява лесна интеграция в съществуващите сглобки на отопление и въртене. Полукръбният дизайн гарантира оптимално позициониране на вафли, свежда до минимум топлинния стрес и играе ключова роля за постигане на равномерна дебелина на епитаксиалния филм в цялата повърхност на вафли.

Продуктът на горната полумесеца включва субстрат от ултра финен графит поради комбинираните ползи от производителността на стабилна ултра-фина структура при изключително високи температури, съчетани с устойчивост на повреда при многократни тиражи. За удължаване на употребата, високо чистота плътно SIC покритие се прилага чрез технология за отлагане на химически пари, изолиране на графитния субстрат от HCl, Cl₂, силан и други корозивни газове. Независимо от това, SIC покритието насърчава по -траен и по -разширяващ се живот както на продукта на горната половина луна, така и на частите в неговата съвкупност, като същевременно намалява замърсяването на средата на вафли, в крайна сметка се възползва от добива на процеса и качеството на филма.

Повърхностното покритие на SIC слоя е определено и е плоско или гладко, за да се насърчи постоянният пренос на топлина към субстрат и постоянно образуване на филми. Освен това, SIC покритието подобрява устойчивостта на компонента към генерирането на частици, което е ключов фактор за чувствителните към дефектите полупроводникови приложения. Параметрите на производителността, включително много ниско преустановяване и много ниска деформация над 1200 ° C, осигуряват ефективни компоненти за много дълги цикли на работа, намаляване на престоя на системата и разходи за поддръжка.

Горната половина луна на Semicorex е второ място по отношение на допустимите отклонения, равномерността на покритието и избора на материали. Ние поддържаме строг контрол на качеството на всяка стъпка, от графитната обработка, до отлагането на SIC покрития и окончателната проверка, като гарантираме, че всяка единица отговаря на строгите стандарти, изисквани от оборудването за полупроводниково оборудване. Освен това, опитът ни в персонализирането на геометриите, дебелините и повърхностните обработки се признава за приложено към почти всички форми на епитаксични платформи.

Горната половина луна е критично важна за стабилността на вафлите, термичната равномерност и контрола на замърсяването на силициев или съставен полупроводников епитаксия. Съответно, Semicorex използва несравнима експертиза, материална технология и производствена последователност, за да постигне очакванията на клиентите за надеждни, високоефективни компоненти на чувствителността.