Приемна плоча

Semicorex Susceptor Plate е ключов компонент в процеса на епитаксиален растеж, специално проектиран да носи полупроводникови пластини по време на отлагането на тънки филми или слоеве. В контекста на метало-органичното химическо отлагане на пари (MOCVD), тези плочи са специално изработени от материали, които могат да издържат на високи температури и осигуряват стабилна повърхност за растеж на епитаксиални слоеве.

Токоприемната плоча, използвана в този процес, е изградена от графит, който е покрит със силициев карбид (SiC) чрез самия процес MOCVD. Силициевият карбид предлага изключителна термична стабилност, механична якост и устойчивост на химични реакции, което го прави идеален избор за взискателните условия на епитаксиален растеж.

По време на MOCVD, токоприемната плоча играе ключова роля, като ефективно пренася топлина към полупроводниковите пластини. Плочата абсорбира енергия от околната среда и я излъчва към вафлите, улеснявайки контролираното отлагане на тънки филми върху повърхностите на вафлите. Този прецизен температурен контрол е от съществено значение за постигане на равномерни и висококачествени епитаксиални слоеве, които са от решаващо значение при производството на усъвършенствани полупроводникови устройства.

Токоприемната плоча в процесите MOCVD, съставена от графит с покритие от SiC, служи като надеждна платформа за поддържане на полупроводникови пластини, осигурявайки оптимален пренос на топлина и допринасяйки за успешния епитаксиален растеж на тънки филми с желани характеристики за полупроводникови приложения.