SiC епитаксия

Semicorex предоставя персонализирана тънкослойна (силициев карбид) SiC епитаксия върху субстрати за разработване на устройства от силициев карбид.

SiC епитаксият може да бъде пригоден, за да отговори на специфичните изисквания на устройството чрез включване на добавки или отглеждане на различни кристални ориентации. Допирането на епитаксиалния слой с примеси като азот или алуминий позволява модифицирането на електрическите свойства, като контролиране на концентрацията на носител или създаване на p-n преходи.

Качеството на епитаксиалния слой SiC се оценява чрез различни техники за характеризиране, включително рентгенова дифракция, сканираща електронна микроскопия, атомно-силова микроскопия и електрически измервания. Тези техники помагат да се оцени кристалната структура, повърхностната морфология и електрическите характеристики на епитаксиалния слой.

Semicorex може да предложи: SiC епитаксиална пластина, GaN епитаксиална пластина, Si Epitaxy, SiC пластина и др.