SiC епитаксия

Semicorex предоставя персонализиран тънък филм (силициев карбид) SiC епитаксия върху субстрати за разработване на устройства от силициев карбид.

SiC епитаксият може да бъде пригоден да отговаря на специфични изисквания на устройството чрез включване на добавки или отглеждане на различни кристални ориентации. Допирането на епитаксиалния слой с примеси като азот или алуминий позволява модифицирането на електрическите свойства, като контролиране на концентрацията на носител или създаване на p-n преходи.

Качеството на епитаксиалния слой SiC се оценява чрез различни техники за характеризиране, включително рентгенова дифракция, сканираща електронна микроскопия, атомно-силова микроскопия и електрически измервания. Тези техники помагат да се оцени кристалната структура, повърхностната морфология и електрическите характеристики на епитаксиалния слой.

Semicorex може да предложи: SiC епитаксиална пластина, GaN епитаксиална пластина, Si Epitaxy, SiC пластина и др.