Графитни тигли с покритие от SiC

Инсталиран в центъра на високотемпературни пещи за растеж на кристали,SiC покритиеграфитните тигли работят заедно с нагреватели, топлоизолационни ръкави, направляващи тръби за потока и шахти на тигела, за да образуват пълната система на топлинно поле. Тази система с термично поле може да поддържа стабилна среда с висока температура, която е от съществено значение за растежа на кристалите.

Производство на SiC покритиеграфитни тиглиобикновено започва с използването на усъвършенствана технология за химическо отлагане на пари за равномерно отлагане на плътенсилициев карбидпокритие върху повърхността на формирания графитен субстрат. Състои се от висока чистотаграфитсубстрата и плътното покритие от силициев карбид, покритият със SiC графитен тигел образува синергична структура, която съчетава топлопроводимостта на графита с устойчивостта на корозия на силициевия карбид.

Методът на Чохралски е универсалната индустриална техника за растеж на кристали. Тази техника ще упражнява центробежната сила върху тигела по време на производството на кристали. Превъзходната якост на огъване и издръжливост на графитните тигли с покритие от SiC могат да предотвратят счупване или напукване по време на високоскоростно въртене, като ефективно намаляват прекъсванията на производството, причинени от повреда на тигела. Освен това тигелите трябва да претърпят драстични температурни колебания за кратък период от време по време на този процес. Благодарение на тяхната забележителна устойчивост на термичен удар, графитните тигли с покритие от SiC могат да намалят структурните щети, свързани с термичния стрес, да осигурят стабилността на тяхната форма, като по този начин намаляват дефектите в растежа на кристалите, причинени от деформация на тигела.

Trenutno se monokristalni silicij proizvaja z uporabo polikristalnega silicija kot surovine in po metodi Czochralskega. Pri proizvodnji monokristalnega silicija je kremenčev lonček kritičen material za taljenje silicija in rast kristalov ter neposredno in pomembno vpliva na proizvodne stroške in kakovost izdelka monokristalnega silicija.