Епитаксиен диск със SiC покритие

Semicorex SiC Coated Epitaxy Disc разполага с набор от несравними предимства в рамките на полупроводниковата индустрия, които могат да бъдат допълнително разработени, както следва:

Нисък коефициент на термично разширение: Епитаксилният диск със SiC покритие може да се похвали със значително нисък коефициент на термично разширение, което е критично при обработката на полупроводници, където стабилността на размерите е от съществено значение. Този атрибут гарантира, че епитаксилният диск със SiC покритие претърпява минимално разширяване или свиване при температурни промени, поддържайки целостта на полупроводниковата структура по време на високотемпературни процеси.

Устойчивост на високотемпературно окисление: Проектиран със забележителна устойчивост на окисление, този епитаксиален диск със SiC покритие запазва структурната си цялост при повишени температури, което го прави идеален компонент за приложения при високотемпературни полупроводникови процеси, където термичната стабилност е от решаващо значение.

Плътна и фино пореста повърхност: Повърхността на епитаксилния диск със SiC покритие се характеризира със своята плътност и фина порьозност, което осигурява оптимална текстура на повърхността за залепване на различни покрития и гарантира ефективно отстраняване на материала по време на обработка на полупроводникови пластини, без да уврежда деликатната повърхност.

Висока твърдост: Покритието придава високо ниво на твърдост на графитния диск, който е устойчив на надраскване и износване, като по този начин удължава експлоатационния живот на SiC Coated Epitaxy Disc и намалява честотата на подмяна в среди за производство на полупроводници.

Устойчивост на киселини, основи, соли и органични реагенти: CVD SiC покритието на епитаксилния диск с SiC покритие предлага отлична устойчивост на широка гама от корозивни агенти, включително киселини, основи, соли и органични реагенти, което го прави подходящо за използване в среди, където химическото излагане е проблем, като по този начин се повишава надеждността и дълготрайността на оборудването.

Бета-SiC повърхностен слой: Повърхностният слой SIC (силициев карбид) на епитаксилния диск с SiC покритие се състои от бета-SiC, който има лицево-центрирана кубична (FCC) кристална структура. Тази кристална структура допринася за изключителните механични и термични свойства на покритието, предлагайки превъзходна здравина и топлопроводимост на диска, което е от съществено значение за оборудването за обработка на полупроводници.