- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Новини
Предимства на керамиката от силициев карбид в индустрията за оптични влакна
Керамиката от силициев карбид предлага множество предимства в индустрията за оптични влакна, включително стабилност при висока температура, нисък коефициент на топлинно разширение, нисък праг на загуби и повреда, механична якост, устойчивост на корозия, добра топлопроводимост и ниска диелектрична ко......
Прочетете още
Въведение в захранващите устройства със силициев карбид
Захранващите устройства от силициев карбид (SiC) са полупроводникови устройства, изработени от материали от силициев карбид, използвани главно във високочестотни, високотемпературни, високоволтови и мощни електронни приложения. В сравнение с традиционните захранващи устройства на базата на силиций (......
Прочетете още
Кратка история на силициевия карбид и приложенията на покритията от силициев карбид
Историята на силициевия карбид (SiC) датира от 1891 г., когато Едуард Гудрич Ачесън случайно го открива, докато се опитва да синтезира изкуствени диаманти. Ачесън нагрява смес от глина (алумосиликат) и кокс на прах (въглерод) в електрическа пещ. Вместо очакваните диаманти, той получи яркозелен крист......
Прочетете още
Трудности при получаването на GaN
Като полупроводников материал от трето поколение, галиевият нитрид често се сравнява със силициевия карбид. Галиевият нитрид все още демонстрира своето превъзходство с голямата си ширина на обхвата, високо напрежение на пробив, висока топлопроводимост, висока скорост на дрейф на наситени електрони и......
Прочетете още
Въведение в полупроводниците от трето поколение: GaN и свързани епитаксиални технологии
GaN материалите придобиха известност след присъждането на Нобеловата награда за физика за 2014 г. за сини светодиоди. Първоначално навлезли в очите на обществеността чрез приложения за бързо зареждане в потребителската електроника, базираните на GaN усилватели на мощност и радиочестотни устройства с......
Прочетете още
