Новини

Приложения в индустрията на GaN

Областите на приложение на базирания на SiC и базирания на Si GaN не са строго разделени. В устройствата GaN-On-SiC цената на SiC субстрата е сравнително висока и с нарастващата зрялост на технологията за дълги кристали на SiC се очаква цената на устройството да спадне допълнително и то се използва ......

Относно полупроводниковите нагревателни елементи

Топлинната обработка е един от основните и важни процеси в полупроводниковия процес. Термичният процес е процес на прилагане на топлинна енергия към пластина чрез поставянето й в среда, пълна със специфичен газ, включително окисление/дифузия/отгряване и др.

Започнете производството на 3C-SiC пластина

Топлинната проводимост на насипния 3C-SiC, измерена наскоро, е втората най-висока сред големите кристали с инчов мащаб, нареждайки се точно под диаманта. Силициевият карбид (SiC) е широкозабранен полупроводник, използван широко в електронни приложения и съществува в различни кристални форми, известн......

Semicorex обявява 8-инчова SiC епитаксиална пластина

Тайванската PSMC ще построи фабрика за 300 мм пластини в Япония

Тайванската корпорация Power Semiconductor Manufacturing Corporation (PSMC) обяви планове за изграждане на фабрика за 300 мм пластини в Япония в сътрудничество със SBI Holdings. Целта на това сътрудничество е да се укрепи вътрешната верига за доставки на IC (интегрални схеми) на Япония, с особен акц......

Какво е CVD за SiC