Epi-SiC рецептор

Semicorex Epi-SiC Susceptor съчетание на издръжливост при висока температура, химическа инертност и превъзходна термична дифузия, той стои като образец на устойчивост и ефективност в лицето на интензивни условия, синоним на начинания за епитаксиален растеж. Прилагането на SiC покритие значително увеличава топлинните характеристики на Epi-SiC Susceptor. Това подобрение улеснява равномерното термично разпределение, което е от съществено значение за нагряването на пластините, което е от основно значение за отлагането на последователни, висококачествени епитаксиални слоеве върху полупроводникови пластини.

Създаден специално, за да отговори на взискателните изисквания на епитаксиалните процеси на вафли, Epi-SiC Susceptor е в основата на безпроблемното транспортиране на вафли в средата на пещта. Неговият здрав дизайн е опора срещу изместване на пластини или компромис, като по този начин смекчава случаите на повреда през критичните етапи от развитието на епитаксиалния слой. Освен това, Epi-SiC Susceptor действа като защитна бариера за графитния субстрат отдолу, предпазвайки го от химичните взаимодействия и абразията, които епитаксиалните процеси могат да предизвикат.

Сливането на еластично графитно ядро ​​със защитно SiC покритие не само подобрява показателите за ефективност на Epi-SiC Susceptor, но също така значително удължава експлоатационния му живот. Резултатът е инвестиция, която носи дивиденти под формата на устойчиви оперативни спестявания за предприятията за производство на полупроводници, позиционирайки Epi-SiC Susceptor като разумен избор за тези, които искат да оптимизират своите производствени операции.