8 -инчов EPI горен пръстен

8 -инчов EPI горен пръстен на Semicorex е специализиран компонент на системите за отлагане на епитаксиални (EPI), осигуряващи висока производителност като горния капак на реакционната камера. С акцент върху структурната цялост и термичната стабилност по време на епитаксиален растеж на полупроводници, EPI горният пръстен е изработен от графит с висока чист и покрит със силициев карбид (SIC), за да издържа на температурата и химически реактивните среди на производството на полупроводници.

В епитаксиалните реактори горният пръстен помага да се запази средата на вафли и играе важна роля за равномерността на температурата и потока на газа по време на отлагането като част от сглобяването на Sudceptor. SIC покритието върху графитния субстрат осигурява EPI горния пръстен с термична стабилност и инертна среда, необходима за защита на графитната сърцевина поради излагане на процесите на газовете по време на работата на горния пръстен на EPI (водород, силан, клоросилани и др.). Твърдостта и проводимостта на SIC слоя повишават работата на горния пръстен на EPI, като предотвратяват разграждането и позволява по -стабилни слоеве през целия производствен цикъл.

С ангажираност към точността на размерите, консистенцията на покритието и повторяемостта, 8 -инчовият EPI горен пръстен се произвежда с прецизно инженерство. Графитният субстрат е обработен до тесни допустими отклонения и термично пречистен до отделяне на примеси, доставяйки чист субстрат с отлична чистота и якост. SIC покритието се прилага чрез отлагане на химически пари (CVD), за да се образува плътен, последователен и силно свързан защитен слой. Този процес свежда до минимум генерирането на частици и позволява на покритието да поддържа целостта на повърхността по време на продължителна употреба.

Производителите на полупроводници разчитат на EPI горния пръстен, за да поддържат критични параметри на камерата и да поддържат вафли без дефекти по време на производството. Конфигурацията е предназначена за използване с водещи 8-инчови системи за обработка на вафли OEM. Персонализираните опции са налични за дебелина, повърхностно покритие и просмукани дизайни за по -добро управление на термика или дори разпределение на газ.

Съответствието на свойствата на графита с покритие SIC за това приложение отнема комбинация най -доброто от свойствата от двата материала; Графитът е много обработен и има устойчивост на термичен удар, комбиниран със силиконов карбид, който е по -твърд, устойчив на корозия и има по -дълъг експлоатационен живот. Тази комбинация в крайна сметка ви дава EPI горния пръстен, който е надежден при висока температура и гарантира чиста и стабилна среда за обработка, която намалява интервалите за поддръжка и осигурява цялостно подобрено обработване на оборудването.

Графитните компоненти играят незаменима и решаваща роля в производството на полупроводници. Качеството на графитния материал значително влияе върху качеството на готовия продукт. Нашата графитна консистенция и хомогенност на материала се контролират и гарантират през целия производствен процес.

1. ПРОИЗВОДСТВО НА ПЪТ, използвайки малка пещ за карбонизация с капацитет само 50 кубически метра.

2. Всяко парче материал се следи и проследява.

3. Температурно наблюдение в множество точки в рамките на пещта осигурява минимални температурни разлики.

4. Температурно наблюдение в множество точки на материала осигурява минимални температурни разлики.

8-инчовият EPI горния пръстен от Semicorex предлага изключителна производителност, консистенция на партида към партида и доказана надеждност в най-трудните полупроводници силиций, силициев карбид или други сложни процеси на полупроводници. На всяка стъпка на производството ние произвеждаме продукти с контрол на качеството, което означава, че всеки продукт, закупен за полупроводниковата индустрия, надвишава спецификациите на качеството.

Изберете 8-инчовия TOP Ring на Semicorex за вашето приложение Epitaxy, за да се възползвате от възможностите, предлагани чрез прецизно инженерство, превъзходни материали и специфично за приложението персонализиране за подобряване на добивите и производителността на устройството.