- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Новини
Какво е TaC покритие върху графит?
В бързо развиващата се област на производството на полупроводници дори и най-малките подобрения могат да направят голяма разлика, когато става въпрос за постигане на оптимална производителност, издръжливост и ефективност. Един напредък, който предизвиква много шум в индустрията, е използването на по......
Прочетете още
Материал за топлоизолация на полето
Процесът на растеж на монокристален силиций протича предимно в термично поле, където качеството на термичната среда значително влияе върху качеството на кристалите и ефективността на растежа. Дизайнът на термичното поле играе ключова роля при оформянето на температурните градиенти и динамиката на га......
Прочетете още
Какви са предизвикателствата пред производството на субстрат от силициев карбид?
Силициевият карбид (SiC) е материал, който притежава висока енергия на свързване, подобно на други твърди материали като диамант и кубичен борен нитрид. Въпреки това, високата енергия на свързване на SiC затруднява директното кристализиране в блокове чрез традиционните методи на топене. Следователно......
Прочетете още
Производство на силициев карбид
Производството на силициев карбид включва верига от процеси, които включват създаване на субстрат, епитаксиален растеж, проектиране на устройство, производство на устройство, опаковане и тестване. Като цяло силициевият карбид се създава като слитъци, които след това се нарязват, шлифоват и полират, ......
Прочетете още
Какво е силициев карбид (SiC)?
Полупроводниковите материали могат да бъдат разделени на три поколения според времевата последователност. Първото поколение германий, силиций и други общи мономатериали, което се характеризира с удобно превключване, обикновено използвано в интегрални схеми. Второто поколение галиев арсенид, индиев ф......
Прочетете още
