Сухо ецване срещу мокро ецване

In semiconductor fabrication, etching is one of the major steps, along with photolithography and thin-film deposition. It involves removing unwanted materials from the surface of a wafer using chemical or physical methods. This step is carried out after coating, photolithography, and developing. It is used to remove the exposed thin film material, leaving only the desired portion of the wafer, and then removing the excess photoresist. These steps are repeated numerous times to create complex integrated circuits.

Офортът се класифицира в две категории: сухо и мокро ецване. Сухото ецване включва използване на реактивни газове и плазмено ецване, докато мокрото ецване включва потапяне на материала в корозионен разтвор, за да се корозира. Сухото ецване позволява анизотропно ецване, което означава, че се ецва само вертикалната посока на материала, без да се засяга напречният материал. Това гарантира вярно прехвърляне на малки графики. За разлика от това, мокрото ецване не може да се контролира, което може да намали ширината на линията или дори да унищожи самата линия. Това води до производство на чипове с лошо качество.

Сухото ецване се класифицира на физическо ецване, химическо ецване и физико-химично ецване въз основа на използвания механизъм за йонно ецване. Физическото ецване е силно насочено и може да бъде анизотропно ецване, но не и селективно ецване. Химическото ецване използва плазма в химическата активност на атомната група и материала, който трябва да се ецва, за да се постигне целта на ецването. Има добра селективност, но анизотропията е лоша поради сърцевината на ецването или химическата реакция.