Относно полупроводниковите нагревателни елементи

Топлинната обработка е един от основните и важни процеси в полупроводниковия процес. Термичният процес е процес на прилагане на топлинна енергия към пластина чрез поставянето й в среда, пълна със специфичен газ, включително окисление/дифузия/отгряване и др.

Оборудването за термична обработка се използва главно при окисление, дифузия, отгряване и сплав четири вида процеси.

Окисляванесе поставя в силиконовата пластина в атмосферата на кислород или водна пара и други окислители за високотемпературна термична обработка, химическата реакция на повърхността на пластината за образуване на процес на оксиден филм е един от най-широко използваните в процеса на интегрална схема на основния процес. Оксидиращият филм има широк спектър от приложения, може да се използва като блокиращ слой за инжектиране на йони и слой за проникване на инжекции (буферен слой за повреда), повърхностна пасивация, изолационни материали за врата и защитен слой на устройството, изолационен слой, структура на устройството на диелектричния слой и т.н.

дифузияе в условия на висока температура, използването на принципа на термична дифузия на примесните елементи според изискванията на процеса, легирани в силициевия субстрат, така че да има специфично разпределение на концентрацията, за промяна на електрическите характеристики на материала, образуването на структура на полупроводниково устройство. В процеса на силиконова интегрална схема процесът на дифузия се използва за създаване на PN преход или съставяне на интегрални схеми в съпротивлението, капацитета, свързващото окабеляване, диодите и транзисторите и други устройства.

Отгряване, известен също като термично отгряване, процес на интегрална схема, всички в азот и друга неактивна атмосфера в процеса на топлинна обработка може да се нарече отгряване, неговата роля е главно да елиминира дефектите на решетката и да елиминира увреждането на решетката на силициевата структура.

Сплаве нискотемпературна топлинна обработка, която обикновено се изисква за поставяне на силициеви пластини в атмосфера на инертен газ или аргон, за да се образува добра основа за металите (Al и Cu) и силициевия субстрат, както и за стабилизиране на кристалната структура на медното окабеляване и отстраняване на примесите, като по този начин се подобрява надеждността на окабеляването.

Според формата на оборудването оборудването за термична обработка може да бъде разделено на вертикална пещ, хоризонтална пещ и пещ за бърза термична обработка (Rapid Thermal Processing, RTP).

Вертикална пещ:Основната система за управление на вертикалната пещ е разделена на пет части: тръба на пещта, система за прехвърляне на вафли, газоразпределителна система, изпускателна система, система за управление. Тръбата на пещта е мястото за нагряване на силициеви пластини, което се състои от вертикални кварцови силфони, многозонови нагревателни резисторни проводници и нагревателни тръбни втулки. Основната функция на системата за трансфер на вафли е да зарежда и разтоварва вафли в тръбата на пещта. Зареждането и разтоварването на вафли се извършва от автоматична машина, която се движи между масата за стелажи за вафли, масата на пещта, масата за зареждане на вафли и масата за охлаждане. Газоразпределителната система прехвърля правилния газов поток към тръбата на пещта и поддържа атмосферата вътре в пещта. Системата за остатъчен газ е разположена в проходен отвор в единия край на тръбата на пещта и се използва за пълно отстраняване на газа и неговите странични продукти. Системата за управление (микроконтролер) контролира всички операции на пещта, включително време на процеса и контрол на температурата, последователност от стъпки на процеса, тип газ, дебит на газ, скорост на покачване и спадане на температурата, зареждане и разтоварване на пластини и т.н. Всеки микроконтролер се свързва с хост компютър. В сравнение с хоризонталните пещи, вертикалните пещи намаляват отпечатъка и позволяват по-добър контрол на температурата и еднородност.

Хоризонтална пещ:Неговата кварцова тръба е поставена хоризонтално за поставяне и нагряване на силициевите пластини. Основната му система за управление е разделена на 5 секции като вертикалната пещ.

Пещ за бърза термична обработка (RTP): Пещта за бързо повишаване на температурата (RTP) е малка система за бързо нагряване, която използва халогенни инфрачервени лампи като източник на топлина за бързо повишаване на температурата на пластината до температурата на обработка, намалявайки времето, необходимо за стабилизиране на процеса и охлаждайки пластината бързо в края на процеса. В сравнение с традиционните вертикални пещи, RTP е по-усъвършенстван в контрола на температурата, като основните разлики са неговите компоненти за бързо нагряване, специални устройства за зареждане на пластини, принудително въздушно охлаждане и по-добри температурни контролери. Специалното устройство за зареждане на пластини увеличава разстоянието между пластините, позволявайки по-равномерно нагряване или охлаждане между пластините. Докато конвенционалните вертикални пещи използват термодвойки за измерване и контрол на температурата, Rapid-Temperature - Пещите за обработка (RTP) използват модулни контроли на температурата, които позволяват контрол на индивидуалното нагряване и охлаждане на вафлите, вместо само да контролират атмосферата вътре в пещта. Освен това има компромис между големи обеми на вафли (150-200 вафли) и скорости на нарастване, а RTP е подходящ за по-малки партиди (50-100 вафли), за да се увеличат скоростите на нарастване, тъй като се обработват по-малко вафли ed в същото време и този по-малък размер на партидата също подобрява локалния въздушен поток в процеса.

Semicorex е специализирана вSiC части с CVD SiC покритияза полупроводникови процеси, като например тръби, конзолни лопатки, вафлени лодки, държач за вафли и т.н. Ако имате въпроси или се нуждаете от допълнителна информация, не се колебайте да се свържете с нас.

Телефон за връзка №+86-13567891907

Електронна поща:sales@semicorex.com