Какво е SOI

Силициевият изолатор (SOI) е признат за едно от решенията за замяна на съществуващите монокристални силициеви материали в ерата на нанотехнологиите и е основен инструмент за поддържане на тенденцията на закона на Мур. Силиций върху изолатор, технология за субстрат, която заменя традиционния насипен субстрат силиций с "инженерен" субстрат, се използва повече от 30 години в специализирани приложения като военни и космически електронни системи, където SOI има уникални предимства поради отличните си радиационна устойчивост и високоскоростни характеристики.

SOI материалите са основата за развитието на SOI технологията, а развитието на SOI технологията зависи от непрекъснатия напредък на SOI материалите. Липсата на евтини, висококачествени SOI материали е основното ограничение за SOI технологията да навлезе в широкомащабно промишлено производство. През последните години, със зрелостта на технологията за подготовка на SOI материал, материалният проблем, който ограничава развитието на SOI технологията, постепенно се решава, което в крайна сметка включва два типа технология за подготовка на SOI материал, а именно, имплантиране на Speration чрез кислород (SIMOX) и технология за свързване. Технологията на свързване включва традиционната технология Bond and Etch back (BESOI) и технологията Smart-cut, комбинираща инжектиране на водородни йони и свързване, предложена от M. Bruel, един от основателите на SOITEC във Франция, както и подготовката на материала Simbond SOI, комбинираща изолиране и свързване на кислород, предложено от д-р Мен Чен през 2005 г. Новата технология съчетава изолиране и свързване с инжектиране на кислород.