- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Новини
Процес на легиране на полупроводници
Едно от уникалните свойства на полупроводниковите материали е, че тяхната проводимост, както и техният тип проводимост (N-тип или P-тип), могат да бъдат създадени и контролирани чрез процес, наречен допинг. Това включва въвеждане на специализирани примеси, известни като добавки, в материала, за да с......
Прочетете още
Откриване на дефекти при обработка на пластини от силициев карбид
SiC субстратите са най-важният компонент в производството на силициев карбид, като представляват близо 50% от неговата стойност. Без SiC субстрати е невъзможно да се произвеждат SiC устройства, което ги прави основната материална основа.
Прочетете още
