Какво е SiC епитаксия?

Епитаксията със силициев карбид (SiC) е ключова технология в областта на полупроводниците, особено за разработването на електронни устройства с висока мощност. SiC е съставен полупроводник с широка ширина на лентата, което го прави идеален за приложения, които изискват работа при висока температура и високо напрежение.

SiC епитаксията е процес на отглеждане на тънък слой от кристален материал върху субстрат, обикновено силиций, като се използват техники за химическо отлагане на пари (CVD) или епитаксия с молекулярни лъчи (MBE). Епитаксиалният слой има същата кристална структура и ориентация като субстрата, което позволява формирането на висококачествен интерфейс между двата материала.

SiC епитаксията се използва широко в разработването на силова електроника, включително захранващи устройства като диоди, транзистори и тиристори. Тези устройства се използват в широк спектър от приложения, като например електрически превозни средства, системи за възобновяема енергия и захранвания.

През последните години има нарастващ интерес към разработването на SiC епитаксия за производството на устройства с висока мощност за приложения като електрически превозни средства и системи за възобновяема енергия. Търсенето на тези устройства се очаква да нарасне бързо през следващите години, водено от необходимостта от по-ефективни и устойчиви енергийни системи.

В отговор на това търсене, изследователи и компании инвестират в разработването на SiC технология за епитаксия, с акцент върху подобряването на качеството и намаляването на цената на процеса. Например, някои компании разработват SiC епитаксия върху по-големи субстрати, за да намалят цената на пластина, докато други изследват нови техники за намаляване на плътността на дефектите.

SiC епитаксията също се използва при разработването на усъвършенствани сензори за редица приложения, включително сензори за газ, температура и налягане. SiC има уникални свойства, които го правят идеален за тези приложения, като стабилност при висока температура и устойчивост на тежки среди.