TaC покритие

TaC керамиката има точка на топене до 3880°C, висока твърдост (твърдост по Mohs 9-10), голяма топлопроводимост (22W·m^-1·К⁻¹), голяма якост на огъване (340-400MPa) и малък коефициент на топлинно разширение (6,6 × 10^-6K-1), и показват отлична термохимична стабилност и отлични физични свойства, така че TaC покритията се използват широко в космическата термична защита, а графитът и C/C композитите имат добра химическа съвместимост и механична съвместимост. ), и показват отлична термохимична стабилност и отлични физични свойства, а графитът и C/C композитите имат добра химическа съвместимост и механична съвместимост, така че TaC покритията се използват широко в космическата термична защита, растеж на единични кристали, енергетика и електроника и медицински устройства, и т.н. Графитът с покритие от TaC има по-добра химическа устойчивост от чистия графит или графит с покритие от SiC и може да се използва стабилно при висока температура от 2600°. 2600 ° висока температурна стабилност и много метални елементи не реагират, е третото поколение сценарии за растеж на полупроводникови монокристали и ецване на пластини в най-доброто представяне на покритието, може значително да подобри процеса на контрол на температурата и примесите, подготовката на високи -качествени пластини от силициев карбид и свързани с тях епитаксиални пластини. Особено подходящо е за MOCVD оборудване за отглеждане на GaN или AlN монокристали и PVT оборудване за отглеждане на SiC монокристали, като качеството на отглежданите монокристали е значително подобрено.

Според резултатите от изследването,TaC покритието може да действа като защитен и изолационен слой за удължаване на живота на графитните компоненти, подобряване на радиалната еднородност на температурата, поддържане на сублимационна стехиометрия на SiC, потискане на миграцията на примеси и намаляване на консумацията на енергия. В крайна сметка се очаква набор от графитни тигли с покритие от TaC да подобри контрола на процеса на SiC PVT и качеството на продукта.